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FFSP15120A

Name: onsemi FFSP15120A
Brand: onsemi
SKU: 512-FFSP15120A
Price: 6.54 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

512-FFSP15120A

N. produttore:

FFSP15120A

Produttore:

onsemi

Descrizione:

Diodi Schottky SiC 1200V SiC SBD 15A

Scheda dati:

FFSP15120A Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	6,54 €	6,54 €
	3,55 €	35,50 €
	3,25 €	325,00 €
	2,89 €	1.445,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	Diodi Schottky SiC
RoHS::
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-220-2
Configurazione:	Single
If - Corrente diretta:	15 A
Vrrm - Tensione inversa ripetitiva:	1.2 kV
Vf - Tensione diretta:	1.45 V
Ifsm - Sovracorrente diretta:	115 A
Ir - Corrente inversa:	200 uA
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Serie:	FFSP15120A
Confezione:	Tube
Marchio:	onsemi
Pd - Dissipazione di potenza:	300 W
Tipo di prodotto:	SiC Schottky Diodes
Quantità colli di fabbrica:	50
Sottocategoria:	Diodes & Rectifiers
Nome commerciale:	EliteSiC
Vr - Tensione inversa:	1.2 kV
Peso unità:	2,160 g

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Scheda dati

FFSP15120A Scheda dati (PDF)

EOL

PCN

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

FFSP SiC Schottky Diodes

onsemi FFSP SiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes are designed to leverage the advantages of Silicon Carbide over Silicon (Si) devices. FFSP SiC Schottky Diodes feature drastically higher forward surge capability, lower reverse leakage, and no reverse recovery current. These SiC Schottky Diodes also feature temperature-independent switching characteristics and excellent thermal performance. This results in improved system efficiency, faster-operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.

Diodi Schottky al carburo di silicio

I diodi Schottky al carburo di silicio (SiC) di onsemi forniscono prestazioni di commutazione superiori e una maggiore affidabilità per dispositivi basati su silicio. Questi diodi offrono zero reverse recovery, commutazione indipendente dalla temperatura ed eccellenti prestazioni termiche. Tra i vantaggi di sistema ci sono la frequenza di funzionamento rapida ad alta efficienza, una maggiore densità di potenza, basse EMI e dimensioni e costi di sistema ridotti. onsemi offre dispositivi da 650 V e 1200 V in una gamma di opzioni di package e di corrente, ideali per le progettazioni di sistemi di alimentazione di prossima generazione.

Diodi EliteSiC D1

I diodi EliteSiC D1 di onsemi sono una soluzione versatile e ad alte prestazioni progettata per le moderne applicazioni elettroniche di alimentazione. D1 di onsemi presenta tensioni nominali di 650 V, 1.200 V e 1.700 V. Questi diodi offrono la flessibilità necessaria per soddisfare i vari requisiti di progettazione. Caratterizzati da diversi package, come D2PAK2, D2PAK3, TO-220-2, TO-247-2 e TO-247-3, i diodi EliteSiC D1 offrono ai progettisti opzioni per ottimizzare lo spazio sulla scheda e le prestazioni termiche.