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FFSP1265A

Name: onsemi FFSP1265A
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSP1265A
Price: 3.57 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-FFSP1265A

N. produttore:

FFSP1265A

Produttore:

onsemi

Descrizione:

Diodi Schottky SiC 650V 12A SIC SBD

Scheda dati:

FFSP1265A Scheda dati

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	3,57 €	3,57 €
	2,20 €	22,00 €
	2,02 €	202,00 €
	1,76 €	880,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	Diodi Schottky SiC
RoHS::
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-220-2
Configurazione:	Single
If - Corrente diretta:	12 A
Vrrm - Tensione inversa ripetitiva:	650 V
Vf - Tensione diretta:	1.5 V
Ifsm - Sovracorrente diretta:	70 A
Ir - Corrente inversa:	200 uA
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Serie:	FFSP1265A
Confezione:	Tube
Marchio:	onsemi
Pd - Dissipazione di potenza:	115 W
Tipo di prodotto:	SiC Schottky Diodes
Quantità colli di fabbrica:	50
Sottocategoria:	Diodes & Rectifiers
Nome commerciale:	EliteSiC
Vr - Tensione inversa:	650 V
Peso unità:	2 g

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Scheda dati

FFSP1265A Scheda dati

PCN

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

Wide Bandgap EliteSiC (Silicon Carbide) Devices

onsemi Wide Bandgap EliteSiC (Silicon Carbide) Devices provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. The EliteSiC portfolio includes 650V, 1200V, and 1700V diodes, 650V and 1200V IGBT and SiC diode Power Integrated Modules (PIMs), 1200V MOSFETs and SiC MOSFET drivers, and AEC-Q100 qualified devices.

Diodi Schottky al carburo di silicio

I diodi Schottky al carburo di silicio (SiC) di onsemi forniscono prestazioni di commutazione superiori e una maggiore affidabilità per dispositivi basati su silicio. Questi diodi offrono zero reverse recovery, commutazione indipendente dalla temperatura ed eccellenti prestazioni termiche. Tra i vantaggi di sistema ci sono la frequenza di funzionamento rapida ad alta efficienza, una maggiore densità di potenza, basse EMI e dimensioni e costi di sistema ridotti. onsemi offre dispositivi da 650 V e 1200 V in una gamma di opzioni di package e di corrente, ideali per le progettazioni di sistemi di alimentazione di prossima generazione.

650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.

Diodi EliteSiC D1

I diodi EliteSiC D1 di onsemi sono una soluzione versatile e ad alte prestazioni progettata per le moderne applicazioni elettroniche di alimentazione. D1 di onsemi presenta tensioni nominali di 650 V, 1.200 V e 1.700 V. Questi diodi offrono la flessibilità necessaria per soddisfare i vari requisiti di progettazione. Caratterizzati da diversi package, come D2PAK2, D2PAK3, TO-220-2, TO-247-2 e TO-247-3, i diodi EliteSiC D1 offrono ai progettisti opzioni per ottimizzare lo spazio sulla scheda e le prestazioni termiche.

FFSP SiC Schottky Diodes

onsemi FFSP SiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes are designed to leverage the advantages of Silicon Carbide over Silicon (Si) devices. FFSP SiC Schottky Diodes feature drastically higher forward surge capability, lower reverse leakage, and no reverse recovery current. These SiC Schottky Diodes also feature temperature-independent switching characteristics and excellent thermal performance. This results in improved system efficiency, faster-operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.