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FFSD0665B-F085

Name: onsemi FFSD0665B-F085
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSD0665B-F085
Price: 2.63 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-FFSD0665B-F085

N. produttore:

FFSD0665B-F085

Produttore:

onsemi

Descrizione:

Diodi Schottky SiC 650V 6A SIC SBD GEN1.5

Scheda dati:

FFSD0665B-F085 Scheda dati

Modello ECAD:

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Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	2,63 €	2,63 €
	1,71 €	17,10 €
	1,19 €	119,00 €
	0,998 €	499,00 €
	0,972 €	972,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	0,929 €	2.322,50 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	Diodi Schottky SiC
RoHS::
REACH - SVHC:
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DPAK-3 (TO-252-3)
Configurazione:	Single
If - Corrente diretta:	6 A
Vrrm - Tensione inversa ripetitiva:	650 V
Vf - Tensione diretta:	1.38 V
Ifsm - Sovracorrente diretta:	28 A
Ir - Corrente inversa:	40 uA
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Serie:	FFSD0665B-F085
Qualifica:	AEC-Q101
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	onsemi
Pd - Dissipazione di potenza:	75 W
Tipo di prodotto:	SiC Schottky Diodes
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Diodes & Rectifiers
Nome commerciale:	EliteSiC
Vr - Tensione inversa:	650 V
Peso unità:	779,167 mg

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Scheda dati

FFSD0665B-F085 Scheda dati

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Diodi EliteSiC D2

I diodi EliteSiC D2 di onsemi sono una gamma di diodi ad alte prestazioni progettati per applicazioni che richiedono una tensione nominale di 650 V. Il D2 di onsemi è disponibile in vari package, tra cui DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2 e TO-247-3. Questi diodi offrono bassa carica capacitiva (QC) e sono ottimizzati per commutazione ad alta velocità con bassa tensione diretta. Queste caratteristiche rendono i diodi ideali per la correzione del fattore di potenza (PFC) e le applicazioni di rettifica dell'uscita.

650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.

FFSx0665B-F085 650V SiC Schottky Diodes

onsemi FFSx0665B-F085 650V, 6A Silicon Carbide Schottky Diodes use a technology that provides superior switching performance and higher reliability. onsemi FFSx0665B-F085 SiC Diodes feature temperature-independent switching characteristics, no reverse recovery current, and excellent thermal performance. Additional benefits include the highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. The FFSx0665B-F085 650V, 6A SiC Schottky Diodes are available in a D²PAK-3 package.

Soluzioni per la conservazione dell'energia

I sistemi di accumulo di energia (ESS) di onsemi immagazzinano l'elettricità proveniente da varie fonti energetiche, come carbone, nucleare, eolica e solare, in diverse forme, tra cui batterie (elettrochimiche), aria compressa (meccanica) e sali fusi (termici). Questa soluzione si concentra sui sistemi di conservazione dell'energia della batteria collegati ai sistemi di inverter solare.