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FFSB0865B-F085

Name: onsemi FFSB0865B-F085
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSB0865B-F085
Price: 4.37 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-FFSB0865B-F085

N. produttore:

FFSB0865B-F085

Produttore:

onsemi

Descrizione:

Diodi Schottky SiC 650V 8A SIC SBD GEN1.5

Scheda dati:

FFSB0865B-F085 Scheda dati

Modello ECAD:

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Prezzo esteso:

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Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 800)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	4,37 €	4,37 €
	2,91 €	29,10 €
	2,07 €	207,00 €
	1,84 €	920,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 800)
	1,68 €	1.344,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	Diodi Schottky SiC
RoHS::
REACH - SVHC:
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	D2PAK-2
Configurazione:	Single
If - Corrente diretta:	8 A
Vrrm - Tensione inversa ripetitiva:	650 V
Vf - Tensione diretta:	1.39 V
Ifsm - Sovracorrente diretta:	56 A
Ir - Corrente inversa:	500 nA
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Serie:	FFSB0865B-F085
Qualifica:	AEC-Q101
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	onsemi
Pd - Dissipazione di potenza:	73 W
Tipo di prodotto:	SiC Schottky Diodes
Quantità colli di fabbrica:	800
Sottocategoria:	Diodes & Rectifiers
Nome commerciale:	EliteSiC
Vr - Tensione inversa:	650 V
Peso unità:	2,240 g

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Scheda dati

FFSB0865B-F085 Scheda dati

PCN

ON Semiconductor MPN Label Format Change (PDF)

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

FFSx0865B-F085 650V SiC Schottky Diodes

onsemi FFSx0865B-F085 650V 8A Silicon Carbide Schottky Diodes use a technology that provides superior switching performance and higher reliability. onsemi FFSx0865B-F085 SiC Diodes feature temperature-independent switching characteristics, no reverse recovery current, and excellent thermal performance. Additional benefits include the highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, reduced system size, and increased cost-effectiveness. The FFSx0865B-F085 650V, 8A SiC Schottky Diodes are available in a D2PAK-3 package.

Diodi EliteSiC D2

I diodi EliteSiC D2 di onsemi sono una gamma di diodi ad alte prestazioni progettati per applicazioni che richiedono una tensione nominale di 650 V. Il D2 di onsemi è disponibile in vari package, tra cui DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2 e TO-247-3. Questi diodi offrono bassa carica capacitiva (QC) e sono ottimizzati per commutazione ad alta velocità con bassa tensione diretta. Queste caratteristiche rendono i diodi ideali per la correzione del fattore di potenza (PFC) e le applicazioni di rettifica dell'uscita.

650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.