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FDMS86200DC

Name: onsemi FDMS86200DC
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMS86200DC
Price: 4.49 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

512-FDMS86200DC

N. produttore:

FDMS86200DC

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET 150V/20V N Channel PowerTrench MOSFET

Scheda dati:

FDMS86200DC Scheda dati

Modello ECAD:

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-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	4,49 €	4,49 €
	2,92 €	29,20 €
	2,20 €	220,00 €
	2,15 €	1.075,00 €
	2,06 €	2.060,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	1,83 €	5.490,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DualCool-56-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	150 V
Id - corrente di drain continua:	28 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	14 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3.3 V
Qg - Carica del gate:	30 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	125 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	PowerTrench
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	5 ns
Transconduttanza diretta - Min:	32 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	4 ns
Serie:	FDMS86200DC
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	23 ns
Tipico ritardo di accensione:	16 ns
Peso unità:	90 mg

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Scheda dati

FDMS86200DC Scheda dati

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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onsemi Solutions for Energy Infrastructure address the landscape for energy generation, distribution, and storage that is rapidly evolving to fulfill targets set by government policy and increasing consumption. Heightened efficiency targets, reductions of CO2 emissions, and a focus on renewable and clean energy are key factors in this Energy Infrastructure Evolution. onsemi offers a comprehensive portfolio of energy efficient solutions to serve the demanding needs of high-power applications including Silicon Carbide (SiC) Diodes, Intelligent Power Modules, and Current Sense Amplifiers.

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onsemi Dual Cool™ PowerTrench® MOSFETs provide Dual Cool packaging technology that features bottom- and top-side cooling in a PQFN package. The PQFN footprint is an industry standard and provides performance flexibility for the designer. The Dual Cool MOSFETs feature enhanced dual path thermal performance and improved parasitics over wire-bonded predecessors. The use of a heat sink with Dual Cool packaging technology provides even more impressive results. When a heat sink is used with onsemi Dual Cool package technology, synchronous buck converters deliver higher output current and increased power density.