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FDMS86101DC

Name: onsemi FDMS86101DC
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMS86101DC
Price: 4.52 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

512-FDMS86101DC

N. produttore:

FDMS86101DC

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET 100V/20V Nch 2xCool PowerTrench MOSFET

Scheda dati:

FDMS86101DC Scheda dati

Modello ECAD:

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Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	4,52 €	4,52 €
	3,01 €	30,10 €
	2,15 €	215,00 €
	2,06 €	1.030,00 €
	1,86 €	1.860,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	1,76 €	5.280,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DualCool-56-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	100 V
Id - corrente di drain continua:	14.5 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	7.5 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2 V
Qg - Carica del gate:	44 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	125 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	PowerTrench
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Dual
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Serie:	FDMS86101DC
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Peso unità:	90 mg

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Scheda dati

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET PowerTrench®

Fairchild offre la più ampia gamma di MOSFET PowerTrench® del settore. È possibile scegliere la tecnologia di MOSFET più adatta alla propria applicazione. Fairchild offre MOSFET a canale N e a canale P fabbricati utilizzando il processo Power Trench® avanzato e ottimizzato per garantire una maggiore robustezza e prestazioni di commutazione a basso R_DS(ON). Questi MOSFET PowerTrench® sono disponibili in diverse versioni adatte alle esigenze delle più svariate applicazioni, quali commutatori di carico, commutazione primaria, computer portatili, convertitori CC-CC, rettificatori sincroni e altro ancora.
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Solutions for Energy Infrastructure

onsemi Solutions for Energy Infrastructure address the landscape for energy generation, distribution, and storage that is rapidly evolving to fulfill targets set by government policy and increasing consumption. Heightened efficiency targets, reductions of CO2 emissions, and a focus on renewable and clean energy are key factors in this Energy Infrastructure Evolution. onsemi offers a comprehensive portfolio of energy efficient solutions to serve the demanding needs of high-power applications including Silicon Carbide (SiC) Diodes, Intelligent Power Modules, and Current Sense Amplifiers.

Dual Cool™ MOSFETs

onsemi Dual Cool™ PowerTrench® MOSFETs provide Dual Cool packaging technology that features bottom- and top-side cooling in a PQFN package. The PQFN footprint is an industry standard and provides performance flexibility for the designer. The Dual Cool MOSFETs feature enhanced dual path thermal performance and improved parasitics over wire-bonded predecessors. The use of a heat sink with Dual Cool packaging technology provides even more impressive results. When a heat sink is used with onsemi Dual Cool package technology, synchronous buck converters deliver higher output current and increased power density.

N-Channel Dual Cool PowerTrench® MOSFET

The FDMS86101DC and FMDS83500DC N-Channel Dual Cool™ PowerTrench® MOSFETs are produced using onsemi's advanced PowerTrench® process. Advancements in both silicon and Dual Cool™ package technologies have been combined to offer the lowest R_DS(ON) while maintaining excellent switching performance by extremely low Junction-to-Ambient thermal resistance. Typical applications for these items include primary DC-DC MOSFET, secondary synchronous rectifier, load switch, telecom secondary side rectification and high end server/workstation Vcore low side.