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FDMS7650DC

Name: onsemi FDMS7650DC
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMS7650DC
Price: 2.98 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

512-FDMS7650DC

N. produttore:

FDMS7650DC

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET 30V N-Chnl Dual Cool Pwr Trench MOSFET

Scheda dati:

FDMS7650DC Scheda dati

Modello ECAD:

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Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	2,98 €	2,98 €
	1,95 €	19,50 €
	1,36 €	136,00 €
	1,16 €	580,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,997 €	2.991,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DualCool-56-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	30 V
Id - corrente di drain continua:	47 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	600 uOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1.9 V
Qg - Carica del gate:	147 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	3.3 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	PowerTrench
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	20 ns
Transconduttanza diretta - Min:	225 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	28 ns
Serie:	FDMS7650DC
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Peso unità:	90 mg

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Scheda dati

FDMS7650DC Scheda dati

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
ECCN:: EAR99

MOSFET PowerTrench®

Fairchild offre la più ampia gamma di MOSFET PowerTrench® del settore. È possibile scegliere la tecnologia di MOSFET più adatta alla propria applicazione. Fairchild offre MOSFET a canale N e a canale P fabbricati utilizzando il processo Power Trench® avanzato e ottimizzato per garantire una maggiore robustezza e prestazioni di commutazione a basso R_DS(ON). Questi MOSFET PowerTrench® sono disponibili in diverse versioni adatte alle esigenze delle più svariate applicazioni, quali commutatori di carico, commutazione primaria, computer portatili, convertitori CC-CC, rettificatori sincroni e altro ancora.
Maggiori informazioni

Dual Cool™ MOSFETs

onsemi Dual Cool™ PowerTrench® MOSFETs provide Dual Cool packaging technology that features bottom- and top-side cooling in a PQFN package. The PQFN footprint is an industry standard and provides performance flexibility for the designer. The Dual Cool MOSFETs feature enhanced dual path thermal performance and improved parasitics over wire-bonded predecessors. The use of a heat sink with Dual Cool packaging technology provides even more impressive results. When a heat sink is used with onsemi Dual Cool package technology, synchronous buck converters deliver higher output current and increased power density.

Power Trench MOSFETs EXPANSION

ON Semiconductor has expanded its line of Power Trench MOSFETs to offer different drain-to-source voltages, drain current and R_DS(ON). Additional features in this expansion of the ON Semiconductor Power Trench® MOSFETs include advanced package and silicon combination for low R_DS(ON) and high efficiency, thermally efficient packages, and next generation enhanced body diode technology engineered for soft recovery. Applications for these Power Trench® MOSFETs include synchronous rectifiers for DC/DC converters, notebook or networking low side switch, telecom secondary side rectification, load switches, and many more.
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ON Semiconductor offers both N-Channel and P-Channel versions of MOSFETs using their advanced Power Trench process that has been optimized for low R_DS(ON) switching performance and ruggedness.
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