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FDMS0310AS-NC

Name: onsemi FDMS0310AS-NC
Brand: onsemi
SKU: 863-FDMS0310AS-NC
Price: 0.87 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

863-FDMS0310AS-NC

N. produttore:

FDMS0310AS-NC

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET PT8 N 30/20 SYNCFET

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

FDMS0310AS-NC Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	PQFN-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	30 V
Id - corrente di drain continua:	80 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	4.3 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3 V
Qg - Carica del gate:	27 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	41 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	3.2 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	3.9 ns
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	25 ns
Tipico ritardo di accensione:	9 ns

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Scheda dati

FDMS0310AS-NC Scheda dati (PDF)

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

N-Channel PowerTrench® SyncFET™ MOSFETs

onsemi N-Channel PowerTrench^® SyncFET™ MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications and reduce on-state resistance. The N-Channel PowerTrench SyncFET MOSFETs utilize silicon technology to enhance performance and lower overall system costs. With an integrated Schottky diode, these onsemi N-Channel PowerTrench SyncFET MOSFETs offer similar performance (high power and current handling) of a separate MOSFET and Schottky rectifier in one package. This integration reduces space by as much as 50% and provides cost savings and manufacturing throughput (or "time") savings. Applications can include notebooks, servers, telecom, DC-DC buck converters, high-efficiency DC-DC switch-mode power supplies, and synchronous rectifiers for DC-DC converters.