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FDMC7660S

Name: onsemi FDMC7660S
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMC7660S
Price: 1.85 EUR
Availability: InStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
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N. Mouser:

512-FDMC7660S

N. produttore:

FDMC7660S

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET 30V N-Chan SyncFET PowerTrench

Scheda dati:

FDMC7660S Scheda dati

Modello ECAD:

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-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	1,85 €	1,85 €
	1,20 €	12,00 €
	0,808 €	80,80 €
	0,645 €	322,50 €
	0,525 €	525,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,52 €	1.560,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	Power-33-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	30 V
Id - corrente di drain continua:	20 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	2.5 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1.6 V
Qg - Carica del gate:	47 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	2.3 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	SyncFET
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	3.9 ns
Transconduttanza diretta - Min:	129 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	5 ns
Serie:	FDMC7660S
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	34 ns
Tipico ritardo di accensione:	14 ns
Peso unità:	32,130 mg

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Scheda dati

FDMC7660S Scheda dati

PCN

Codici di conformità

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Filippine
Paese di origine dell'assemblaggio:: Filippine
Paese di diffusione:: Taiwan

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

N-Channel PowerTrench® SyncFET™ MOSFETs

onsemi N-Channel PowerTrench^® SyncFET™ MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications and reduce on-state resistance. The N-Channel PowerTrench SyncFET MOSFETs utilize silicon technology to enhance performance and lower overall system costs. With an integrated Schottky diode, these onsemi N-Channel PowerTrench SyncFET MOSFETs offer similar performance (high power and current handling) of a separate MOSFET and Schottky rectifier in one package. This integration reduces space by as much as 50% and provides cost savings and manufacturing throughput (or "time") savings. Applications can include notebooks, servers, telecom, DC-DC buck converters, high-efficiency DC-DC switch-mode power supplies, and synchronous rectifiers for DC-DC converters.

MOSFET PowerTrench®

Fairchild offre la più ampia gamma di MOSFET PowerTrench® del settore. È possibile scegliere la tecnologia di MOSFET più adatta alla propria applicazione. Fairchild offre MOSFET a canale N e a canale P fabbricati utilizzando il processo Power Trench® avanzato e ottimizzato per garantire una maggiore robustezza e prestazioni di commutazione a basso R_DS(ON). Questi MOSFET PowerTrench® sono disponibili in diverse versioni adatte alle esigenze delle più svariate applicazioni, quali commutatori di carico, commutazione primaria, computer portatili, convertitori CC-CC, rettificatori sincroni e altro ancora.
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