FAN3217TMX

onsemi
512-FAN3217TMX
FAN3217TMX

Produttore:

Descrizione:
Driver di porta Dual 2A High-Speed Low-Side Gate

Modello ECAD:
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Stima Tariffa:
Confezione:
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)

Prezzi (EUR)

Qtà Prezzo Unitario
Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™
1,08 € 1,08 €
0,781 € 7,81 €
0,708 € 17,70 €
0,626 € 62,60 €
0,587 € 146,75 €
0,564 € 282,00 €
0,534 € 534,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
0,522 € 1.305,00 €
0,49 € 3.675,00 €
† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso.

Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
onsemi
Categoria prodotto: Driver di porta
RoHS::  
MOSFET Gate Drivers
Low-Side
SMD/SMT
SOIC-8
2 Driver
2 Output
2 A
4.5 V
18 V
Non-Inverting
12 ns
9 ns
- 40 C
+ 125 C
FAN3217T
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marchio: onsemi
Corrente di alimentazione operativa: 750 uA
Pd - Dissipazione di potenza: 460 mW
Tipo di prodotto: Gate Drivers
Quantità colli di fabbrica: 2500
Sottocategoria: PMIC - Power Management ICs
Tecnologia: Si
Peso unità: 230,400 mg
Prodotti trovati:
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Attributi selezionati: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542310000
USHTS:
8542390090
KRHTS:
8542311000
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

High-Speed Low-Side Gate Drivers

onsemi / Fairchild High-Speed Low-Side Gate Drivers are designed to drive N-channel enhancement-mode MOSFETs in low-side switching applications by providing high peak current pulses during the short switching intervals. They are each available with TTL input thresholds. The internal circuitry of these High-Speed Low-Side Gate Drivers provides an under-voltage lockout function by holding the output low until the supply voltage is within the operating range. onsemi / Fairchild High-Speed Low-Side Gate Drivers incorporate MillerDrive™ architecture for the final output stage, which provides high current during the Miller plateau stage of the MOSFET turn-on/turn-off process to minimize switching loss. This process also provides a rail-to-rail voltage swing and reverse current capability. Applications for these devices include switch-mode power supplies, high-efficiency MOSFET switching, synchronous rectifier circuits, DC-to-DC converters, and motor control.