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E4MS025120U2-TR

Name: Wolfspeed E4MS025120U2-TR
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-E4MS025120U2-TR
Price: 5.76 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

941-E4MS025120U2-TR

N. produttore:

E4MS025120U2-TR

Produttore:

Wolfspeed

Descrizione:

MOSFET SiC SiC, MOSFET,25mohm,1200V, TSC (U2) , Automotive, Gen4

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

E4MS025120U2-TR Scheda dati (PDF)

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Wolfspeed
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	TO-263-7XL
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Id - corrente di drain continua:	82 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	33 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.6 V
Qg - Carica del gate:	125 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	350 W
Modalità canale:	Enhancement
Qualifica:	AEC-Q101
Marchio:	Wolfspeed
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	11 ns
Transconduttanza diretta - Min:	28 S
Confezione:	Reel
Prodotto:	SiC MOSFET
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Tempo di salita:	4 ns
Quantità colli di fabbrica:	800
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Tipo:	Silicon Carbide Power MOSFET
Ritardo di spegnimento tipico:	36 ns
Tipico ritardo di accensione:	12 ns

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Scheda dati

E4MS025120U2-TR Scheda dati (PDF)

ECCN:: EAR99

MOSFET SiC discreti E4MS da 1.200 V

I MOSFET discreti in carburo di silicio (SiC) di Wolfspeed E4MS da 1.200 V offrono prestazioni senza pari nelle applicazioni per il settore automobilistico di bordo. La famiglia E4MS utilizza un diodo di corpo veloce e morbido che consente una commutazione rapida con oscillazioni e sovraccarichi minimi, ampliando lo spazio di progettazione utilizzabile per gli ingegneri per regolare e ottimizzare le prestazioni nell'applicazione. La famiglia E4MS offre perdite E_on, E_RR ed E_off migliorate rispetto alla famiglia di dispositivi E3M, mantenendo al contempo un coefficiente di temperatura R_DS(on) ridotto. Questo approccio equilibrato offre prestazioni e efficienza massime in una vasta gamma di topologie di bordo.