DXTN07045DFG-7

Diodes Incorporated
621-DXTN07045DFG-7
DXTN07045DFG-7

Produttore:

Descrizione:
Transistor bipolari - BJT Pwr Mid Perf Transistor

Modello ECAD:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
Diodes Incorporated
Categoria prodotto: Transistor bipolari - BJT
RoHS::  
Si
SMD/SMT
PowerDI3333-8
NPN
Single
3 A
45 V
45 V
7 V
140 mV
3.1 W
150 MHz
- 55 C
+ 175 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marchio: Diodes Incorporated
Corrente continua collettore: 3 A
Paese di assemblaggio: Not Available
Paese di diffusione: Not Available
Paese di origine: CN
Collettore DC/Guadagno base hfe Min: 400
Tipo di prodotto: BJTs - Bipolar Transistors
Quantità colli di fabbrica: 2000
Sottocategoria: Transistors
Peso unità: 30 mg
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Attributi selezionati: 0

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TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
ECCN:
EAR99

DXTN07x Bipolar Junction Transistors (BJTs)

Diodes Incorporated DXTN07x Bipolar Junction Transistors (BJTs) are offered in smaller, thermally efficient PowerDI®3333-8 packages. These Diodes Incorporated transistors are in a PowerDI3333 surface mount 3.3mm x 3.3mm x 0.8mm package. The package occupies 70% less printed circuit board (PCB) space than the traditional small-outline transistor (SOT223). PowerDI3333 packages increase PCB throughput with wettable flanks, which help facilitate high-speed, automatic optical inspection (AOI) of solder joints. These NPN and PNP transistors can perform functions such as linear or LDO regulation, gate driving of MOSFETs or insulated-gate bipolar transistors (IGBT), and load switches across industrial and consumer applications.