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DMN53D0LQ-13

Name: Diodes Incorporated DMN53D0LQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN53D0LQ-13
Price: 0.24 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

621-DMN53D0LQ-13

N. produttore:

DMN53D0LQ-13

Produttore:

Diodes Incorporated

Descrizione:

MOSFET 2N7002 Family

Scheda dati:

DMN53D0LQ-13 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 10000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	0,249 €	0,25 €
	0,155 €	1,55 €
	0,097 €	9,70 €
	0,071 €	35,50 €
	0,057 €	57,00 €
	0,049 €	245,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 10000)
	0,043 €	430,00 €
	0,036 €	720,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

Confezione alternativa

Produttore Codice prodotto:

DMN53D0LQ-7

Imballaggio:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilità:

A magazzino

Prezzo:

0,25 €

Min:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Diodes Incorporated
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	SOT-23-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	50 V
Id - corrente di drain continua:	500 mA
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	1.6 Ohms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	800 mV
Qg - Carica del gate:	600 pC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	540 mW
Modalità canale:	Enhancement
Qualifica:	AEC-Q101
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Diodes Incorporated
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	11 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	2.5 ns
Serie:	DMN53
Quantità colli di fabbrica:	10000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	19 ns
Tipico ritardo di accensione:	2.7 ns
Peso unità:	8 mg

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Scheda dati

DMN53D0LQ-13 Scheda dati (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Incorporated DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed to minimize the on-state resistance RDS(ON) while maintaining superior switching performance. ESD protected to 2KV, these new generation MOSFETs feature low on-resistance, very low gate threshold voltage, low input capacitance, fast switching speeds, and low input/output leakage. Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability, DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

DMNxx MOSFETs

Diodes Inc. DMNxx MOSFETs are N-channel devices ideally suited for meeting the requirements of a variety of power management applications. DMNxx MOSFETs offer a variety of package options and a wide range of drain-source voltage values.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.