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DMG6898LSD-13

Name: Diodes Incorporated DMG6898LSD-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMG6898LSD-13
Price: 0.85 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

621-DMG6898LSD-13

N. produttore:

DMG6898LSD-13

Produttore:

Diodes Incorporated

Descrizione:

MOSFET MOSFET N-CHAN

Scheda dati:

DMG6898LSD-13 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	0,851 €	0,85 €
	0,53 €	5,30 €
	0,346 €	34,60 €
	0,267 €	133,50 €
	0,241 €	241,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	0,212 €	530,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Diodes Incorporated
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	SOIC-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	2 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	20 V
Id - corrente di drain continua:	9.5 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	11 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	500 mV
Qg - Carica del gate:	26 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	1.28 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Diodes Incorporated
Configurazione:	Dual
Tempo di caduta:	12.33 ns, 12.33 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	12.49 ns, 12.49 ns
Serie:	DMG6898
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	2 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	35.89 ns, 35.89 ns
Tipico ritardo di accensione:	11.67 ns, 11.67 ns
Peso unità:	750 mg

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Scheda dati

DMG6898LSD-13 Scheda dati (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

DMx Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Incorporated DMx series enhancement mode MOSFETs feature low on-resistance and fast switching, making them ideal for high efficiency power management applications. Diodes Incorporated DMx enhancement mode MOSFETs are also optimized for motor control, backlighting, and DC-DC converter applications. Diodes Incorporated DMx series includes complementary dual, complementary pair, P-channel, and N-channel enhancement mode MOSFETs.