DIW120SIC023-AQ

Diotec Semiconductor
637-DIW120SIC023-AQ
DIW120SIC023-AQ

Produttore:

Descrizione:
MOSFET SiC

Modello ECAD:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
Diotec Semiconductor
Categoria prodotto: MOSFET SiC
RoHS::  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
125 A
23 mOhms
- 4 V, + 18 V
2.9 V
121 nC
- 55 C
+ 175 C
600 W
Enhancement
Marchio: Diotec Semiconductor
Configurazione: Single
Transconduttanza diretta - Min: 21 S
Confezione: Tube
Tipo di prodotto: SiC MOSFETS
Serie: 120SIC
Quantità colli di fabbrica: 30
Sottocategoria: Transistors
Tecnologia: SiC
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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Diotec Semiconductor TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are ideally suited for high voltage and high frequency switching used in charging systems for electric vehicles (EV), solar inverters, or telecom power supplies. These MOSFETs feature a high 1200V and 650V reverse voltage, extremely low on-resistance, total Gate charge, low switching time, and low total switching energy. Advanced planar technology and the Silicon Carbide wafer material enable higher on-resistances at higher switching frequencies. These MOSFETs are used in DC-DC converters, DC drives, inverters, charging stations, Power Factor Correction (PFC), solar inverters, and power supplies.