DIW065SIC015

Diotec Semiconductor
637-DIW065SIC015
DIW065SIC015

Produttore:

Descrizione:
MOSFET SiC SiC MOSFET, TO-247-3L, N, 150A, 650V, 15m?, 175°C

Ciclo di vita:
Nuovo prodotto:
Novità da questo produttore.
Modello ECAD:
Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

A magazzino: 450

A magazzino:
450 Spedizione immediata
Minimo: 1   Multipli: 1
Prezzo Unitario:
-,-- €
Prezzo esteso:
-,-- €
Stima Tariffa:
Per questo prodotto la spedizione è GRATUITA

Prezzi (EUR)

Qtà Prezzo Unitario
Prezzo esteso
80,31 € 80,31 €
62,79 € 627,90 €
37,66 € 4.519,20 €
510 Offerta

Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
Diotec Semiconductor
Categoria prodotto: MOSFET SiC
RoHS::  
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
150 A
15 mOhms
- 4 V, + 15 V
4 V
236 nC
- 55 C
+ 175 C
550 W
Enhancement
DIW065SIC015
Marchio: Diotec Semiconductor
Configurazione: Single
Tempo di caduta: 27 ns
Transconduttanza diretta - Min: 42 S
Prodotto: MOSFETs
Tipo di prodotto: SiC MOSFETS
Tempo di salita: 136 ns
Quantità colli di fabbrica: 30
Sottocategoria: Transistors
Tecnologia: SiC
Tipo di transistor: 1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico: 63 ns
Tipico ritardo di accensione: 25 ns
Prodotti trovati:
Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo
Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.
Attributi selezionati: 0

Questa funzionalità richiede l'attivazione di JavaScript.

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Diotec Semiconductor TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are ideally suited for high voltage and high frequency switching used in charging systems for electric vehicles (EV), solar inverters, or telecom power supplies. These MOSFETs feature a high 1200V and 650V reverse voltage, extremely low on-resistance, total Gate charge, low switching time, and low total switching energy. Advanced planar technology and the Silicon Carbide wafer material enable higher on-resistances at higher switching frequencies. These MOSFETs are used in DC-DC converters, DC drives, inverters, charging stations, Power Factor Correction (PFC), solar inverters, and power supplies.