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DIF120SIC053

Name: Diotec Semiconductor DIF120SIC053
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DIF120SIC053
Price: 19.98 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

637-DIF120SIC053

N. produttore:

DIF120SIC053

Produttore:

Diotec Semiconductor

Descrizione:

MOSFET SiC

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

DIF120SIC053 Scheda dati (PDF)

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Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	19,98 €	19,98 €
	15,62 €	156,20 €
	9,37 €	1.124,40 €
	6,96 €	3.549,60 €
	6,79 €	6.925,80 €
2.520	Offerta

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Diotec Semiconductor
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
RoHS::
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Id - corrente di drain continua:	65 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	53 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 4 V, + 18 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4 V
Qg - Carica del gate:	121 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	278 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	DIF120SIC053
Marchio:	Diotec Semiconductor
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	15 ns
Transconduttanza diretta - Min:	21 S
Prodotto:	MOSFETs
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Tempo di salita:	58 ns
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	26 ns
Tipico ritardo di accensione:	17 ns

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Diotec Semiconductor TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are ideally suited for high voltage and high frequency switching used in charging systems for electric vehicles (EV), solar inverters, or telecom power supplies. These MOSFETs feature a high 1200V and 650V reverse voltage, extremely low on-resistance, total Gate charge, low switching time, and low total switching energy. Advanced planar technology and the Silicon Carbide wafer material enable higher on-resistances at higher switching frequencies. These MOSFETs are used in DC-DC converters, DC drives, inverters, charging stations, Power Factor Correction (PFC), solar inverters, and power supplies.