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CGHV40180F

Name: MACOM CGHV40180F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV40180F
Price: 349.62 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

941-CGHV40180F

N. produttore:

CGHV40180F

Produttore:

MACOM

Descrizione:

GaN FETs GaN HEMT

Scheda dati:

CGHV40180F Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	349,62 €	349,62 €
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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	MACOM
Categoria prodotto:	GaN FETs
RoHS::
Stile di montaggio:	Screw Mount
Package/involucro:	440223
Polarità transistor:	N-Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	125 V
Id - corrente di drain continua:	18 A
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	- 3.8 V
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	150 W
Marchio:	MACOM
Kit di sviluppo:	CGHV40180F-TB1
Guadagno:	20.3 dB
Frequenza di lavoro massima:	1 GHz
Frequenza di lavoro minima:	50 MHz
Potenza di uscita:	180 W
Confezione:	Tray
Tipo di prodotto:	GaN FETs
Quantità colli di fabbrica:	25
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	GaN
Tipo di transistor:	GaN HEMT
Vgs - Tensione di rottura gate-source:	- 10 V, 2 V
Peso unità:	25,676 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CG2H40xx & CG2H30xx GaN HEMTs

MACOM CG2H40xx and CG2H30xx Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to operate from a 28V rail. These transistors offer a general-purpose broadband solution to a variety of RF and microwave applications. The high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities make these HEMTs ideal for linear and compressed amplifier circuits. MACOM CG2H40xx and CG2H30xx transistors offer design flexibility with a wide variety of package types, including screw-down, solder-down, pill, and flange. Typical applications include broadband amplifiers, cellular infrastructure, and radar.