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CG2H40025F

Name: MACOM CG2H40025F
Brand: MACOM
SKU: 941-CG2H40025F
Price: 170.13 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

941-CG2H40025F

N. produttore:

CG2H40025F

Produttore:

MACOM

Descrizione:

GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt

Scheda dati:

CG2H40025F Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	170,13 €	170,13 €
	133,43 €	1.334,30 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	MACOM
Categoria prodotto:	GaN FETs
RoHS::
Stile di montaggio:	Screw Mount
Package/involucro:	440166
Polarità transistor:	N-Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	120 V
Id - corrente di drain continua:	3 A
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	- 3.8 V
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Marchio:	MACOM
Guadagno:	15 dB
Frequenza di lavoro massima:	6 GHz
Frequenza di lavoro minima:	0 Hz
Potenza di uscita:	25 W
Confezione:	Tray
Tipo di prodotto:	GaN FETs
Quantità colli di fabbrica:	80
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	GaN
Tipo di transistor:	GaN HEMT
Vgs - Tensione di rottura gate-source:	- 10 V, 2 V
Peso unità:	10,566 g

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Scheda dati

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PCN

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CG2H40xx & CG2H30xx GaN HEMTs

MACOM CG2H40xx and CG2H30xx Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to operate from a 28V rail. These transistors offer a general-purpose broadband solution to a variety of RF and microwave applications. The high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities make these HEMTs ideal for linear and compressed amplifier circuits. MACOM CG2H40xx and CG2H30xx transistors offer design flexibility with a wide variety of package types, including screw-down, solder-down, pill, and flange. Typical applications include broadband amplifiers, cellular infrastructure, and radar.