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C4MS047120K

Name: Wolfspeed C4MS047120K
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-C4MS047120K
Price: 3.52 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

941-C4MS047120K

N. produttore:

C4MS047120K

Produttore:

Wolfspeed

Descrizione:

MOSFET SiC SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TO-247-4, Industrial

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

C4MS047120K Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	3,52 €	1.584,00 €
	3,12 €	2.808,00 €
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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Wolfspeed
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Id - corrente di drain continua:	50 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	47 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.6 V
Qg - Carica del gate:	68 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	241 W
Modalità canale:	Enhancement
Marchio:	Wolfspeed
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	4 ns
Transconduttanza diretta - Min:	15 S
Prodotto:	SiC MOSFET
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Tempo di salita:	2 ns
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Tipo:	Silicon Carbide Power MOSFET
Ritardo di spegnimento tipico:	23 ns
Tipico ritardo di accensione:	10 ns

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Scheda dati

C4MS047120K Scheda dati (PDF)

ECCN:: EAR99

MOSFET SiC discreti C4MS da 1.200 V

I MOSFET discreti al carburo di silicio (SiC) C4MS da 1.200 V di Wolfspeed garantiscono prestazioni senza pari nelle applicazioni hard-switch. La famiglia C4MS utilizza un diodo di corpo veloce e soft che consente una commutazione rapida con oscillazioni e sovraccarichi minimi, ampliando così lo spazio di progettazione utilizzabile per gli ingegneri, consentendo loro di regolare e ottimizzare le prestazioni nell'applicazione. La famiglia C4MS offre perdite E_on, E_RR ed E_off migliorate rispetto alla famiglia di dispositivi C3M, mantenendo al contempo un basso coefficiente di temperatura R_DS(on). Questo approccio equilibrato offre prestazioni e efficienza massime in una vasta gamma di topologie sia a commutazione dura che a commutazione morbida.