Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Torna ai risultati della ricerca

Hai visto un errore?

C4MS036120K

Name: Wolfspeed C4MS036120K
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-C4MS036120K
Price: 10.03 EUR
Availability: OutOfStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

941-C4MS036120K

N. produttore:

C4MS036120K

Produttore:

Wolfspeed

Descrizione:

MOSFET SiC SiC, MOSFET, 36mohm, 1200V, TO-247-4, Industrial

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

C4MS036120K Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su Wolfspeed C4MS036120K

Disponibilità

A magazzino:: Non disponibile a magazzino

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: Richiesta offerta consegna

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	10,03 €	10,03 €
	7,84 €	78,40 €
	6,54 €	784,80 €
	5,82 €	2.968,20 €
	4,95 €	5.049,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Wolfspeed
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Id - corrente di drain continua:	60 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	36 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.6 V
Qg - Carica del gate:	88 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	272 W
Modalità canale:	Enhancement
Marchio:	Wolfspeed
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	4 ns
Transconduttanza diretta - Min:	20 S
Prodotto:	SiC MOSFET
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Tempo di salita:	3 ns
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Tipo:	Silicon Carbide Power MOSFET
Ritardo di spegnimento tipico:	29 ns
Tipico ritardo di accensione:	12 ns

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

C4MS036120K Scheda dati (PDF)

ECCN:: EAR99

MOSFET SiC discreti C4MS da 1.200 V

I MOSFET discreti al carburo di silicio (SiC) C4MS da 1.200 V di Wolfspeed garantiscono prestazioni senza pari nelle applicazioni hard-switch. La famiglia C4MS utilizza un diodo di corpo veloce e soft che consente una commutazione rapida con oscillazioni e sovraccarichi minimi, ampliando così lo spazio di progettazione utilizzabile per gli ingegneri, consentendo loro di regolare e ottimizzare le prestazioni nell'applicazione. La famiglia C4MS offre perdite E_on, E_RR ed E_off migliorate rispetto alla famiglia di dispositivi C3M, mantenendo al contempo un basso coefficiente di temperatura R_DS(on). Questo approccio equilibrato offre prestazioni e efficienza massime in una vasta gamma di topologie sia a commutazione dura che a commutazione morbida.