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C3M0160120K1

Name: Wolfspeed C3M0160120K1
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-C3M0160120K1
Price: 6.29 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

941-C3M0160120K1

N. produttore:

C3M0160120K1

Produttore:

Wolfspeed

Descrizione:

MOSFET SiC SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

C3M0160120K1 Scheda dati (PDF)

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Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	6,29 €	6,29 €
	4,70 €	47,00 €
	3,79 €	454,80 €
	3,37 €	1.718,70 €
	2,89 €	2.947,80 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Wolfspeed
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
RoHS::
REACH - SVHC:
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-4LP
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Id - corrente di drain continua:	17.9 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	280 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 4 V, + 15 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3.8 V
Qg - Carica del gate:	32 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	103 W
Modalità canale:	Enhancement
Marchio:	Wolfspeed
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	12 ns
Transconduttanza diretta - Min:	4.6 S
Prodotto:	MOSFETs
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Tempo di salita:	9 ns
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Tipo:	Silicon Carbide Power MOSFET
Ritardo di spegnimento tipico:	13 ns
Tipico ritardo di accensione:	8 ns

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Scheda dati

C3M0160120K1 Scheda dati (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza SiC 1.200 V a basso profilo TO-247-4

I MOSFET di potenza in carburo di silicio (SiC) 1.200 V a basso profilo TO-247-4 di Wolfspeed presentano commutazione ad alta velocità con basse capacità e alta tensione di blocco con bassa resistenza in conduzione. Questi MOSFET di potenza riducono le perdite di commutazione e i requisiti di raffreddamento e riducono al minimo il gate ringing. I MOSFET di potenza SiC 1200 V incorporano un diodo intrinseco rapido con basso recupero inverso (Q_rr). Questi MOSFET di potenza aumentano la densità di potenza e la frequenza di commutazione del sistema. I MOSFET di potenza SiC 1200 V sono disponibili in package ottimizzati con pin sorgente driver separati e sono disponibili in un corpo package TO-247-4 di profilo più basso. Questi MOSFET di potenza sono privi di alogeni e conformi a RoHS. Le applicazioni tipiche includono controllo motori, caricabatterie EV, convertitori CC/CC ad alta tensione, solari/ESS, UPS e PSU entreprise.

MOSFET di potenza in carburo di silicio 1.200 V

I MOSFET di potenza in carburo di silicio 1.200 V di Wolfspeed definiscono lo standard in termini diprestazioni, robustezza e facilità di progettazione. I MOSFET Wolfspeed offrono commutazione rapida e bassa perdita di commutazione, garantendo un significativo miglioramento dell’efficienza del sistema, della densità di potenza e del costo complessivo della distinta base rispetto ai MOSFET in silicio e ai tradizionali IGBT.

MOSFET e diodi al carburo di silicio 1200 V

I MOSFET e i diodi al carburo di silicio (SiC) da 1200 V di Wolfspeed creano una potente combinazione di maggiore efficienza nelle applicazioni più esigenti. Questi MOSFET e diodi Schottky sono progettati per l'uso in applicazioni ad alta potenza. I MOSFET SiC 1.200 V presentano una sovratemperatura R_{ds (on)} stabile e resistenza all'effetto a valanga. Questi MOSFET sono robusti diodi a corpo che non richiedono diodi esterni e sono più facili da pilotare in quanto offrono un gate drive 15 V. I MOSFET SiC 1.200 V offrono una migliore efficienza a livello di sistema con minori perdite di commutazione e conduzione e una migliore densità di potenza a livello di sistema.