Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Torna ai risultati della ricerca

Hai visto un errore?

C3M0032120D

Name: Wolfspeed C3M0032120D
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-C3M0032120D
Price: 11.45 EUR
Availability: InStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

941-C3M0032120D

N. produttore:

C3M0032120D

Produttore:

Wolfspeed

Descrizione:

MOSFET SiC 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET

Scheda dati:

C3M0032120D Scheda dati

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su Wolfspeed C3M0032120D

A magazzino: 316

A magazzino:: 316 Spedizione immediata

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	11,45 €	11,45 €
	9,84 €	98,40 €
	9,83 €	1.179,60 €
	6,99 €	3.564,90 €
	5,95 €	6.069,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Wolfspeed
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
RoHS::
REACH - SVHC:
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Id - corrente di drain continua:	63 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	32 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 4 V, + 15 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3.6 V
Qg - Carica del gate:	114 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	283 W
Modalità canale:	Enhancement
Marchio:	Wolfspeed
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	19 ns
Transconduttanza diretta - Min:	27 S
Confezione:	Tube
Prodotto:	MOSFETs
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Tempo di salita:	22 ns
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Ritardo di spegnimento tipico:	39 ns
Tipico ritardo di accensione:	107 ns
Peso unità:	6 g

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

C3M0032120D Scheda dati

PCN

Questa funzionalità richiede l'attivazione di JavaScript.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza in carburo di silicio 1.200 V

I MOSFET di potenza in carburo di silicio 1.200 V di Wolfspeed definiscono lo standard in termini diprestazioni, robustezza e facilità di progettazione. I MOSFET Wolfspeed offrono commutazione rapida e bassa perdita di commutazione, garantendo un significativo miglioramento dell’efficienza del sistema, della densità di potenza e del costo complessivo della distinta base rispetto ai MOSFET in silicio e ai tradizionali IGBT.

MOSFET e diodi al carburo di silicio 1200 V

I MOSFET e i diodi al carburo di silicio (SiC) da 1200 V di Wolfspeed creano una potente combinazione di maggiore efficienza nelle applicazioni più esigenti. Questi MOSFET e diodi Schottky sono progettati per l'uso in applicazioni ad alta potenza. I MOSFET SiC 1.200 V presentano una sovratemperatura R_{ds (on)} stabile e resistenza all'effetto a valanga. Questi MOSFET sono robusti diodi a corpo che non richiedono diodi esterni e sono più facili da pilotare in quanto offrono un gate drive 15 V. I MOSFET SiC 1.200 V offrono una migliore efficienza a livello di sistema con minori perdite di commutazione e conduzione e una migliore densità di potenza a livello di sistema.

SiC C3M MOSFETs

Wolfspeed SiC C3M MOSFETs enable higher switching frequencies and reduce inductor, capacitor, filter, and transformer component sizes. The Wolfspeed SiC C3M MOSFETs have higher system efficiency and reduced cooling requirements. The MOSFETs also increase power density and system switching frequency.