BU52012NVX-TR

ROHM Semiconductor
755-BU52012NVX-TR
BU52012NVX-TR

Produttore:

Descrizione:
Sensori magnetici/a effetto Hall su scheda Hall Effect Sensor 0.5mA Unipolar 1.8V

Ciclo di vita:
NRND:
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Modello ECAD:
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ROHM Semiconductor
Categoria prodotto: Sensori magnetici/a effetto Hall su scheda
RoHS::  
Unipolar
3.5 uA
+/- 500 mA
3 mT to 5 mT
0.6 mT to 2.1 mT
1.8 V
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
SSON-4
BU52012NVX
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marchio: ROHM Semiconductor
Tipo di uscita: CMOS
Pd - Dissipazione di potenza: 2.049 W
Tipo di prodotto: Board Mount Hall Effect / Magnetic Sensors
Quantità colli di fabbrica: 5000
Sottocategoria: Sensors
Tensione di alimentazione - Max.: 3.6 V
Tensione di alimentazione - Min.: 1.65 V
Stile di terminazione: SMD/SMT
Alias n. parte: BU52012NVX
Peso unità: 33,393 mg
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Attributi selezionati: 0

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TARIC:
8542319000
CNHTS:
9031809090
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
854239099
MXHTS:
8542310302
ECCN:
EAR99

Hall Effect ICs

ROHM Semiconductor Hall Effect ICs include unipolar detection, omnipolar detection, bipolar detection, and omnipolar with polarity detection ICs. These ICs feature a low average current of 3.5µA and fully-integrated CMOS logic output circuitry. The integrated dynamic offset cancellation provides high sensitivity, allowing for less precise placement of the permanent magnet. The product is rated at 8kV ESD withstand and rated for -40°C to +85°C operation. The Hall ICs are ideal for a wide range of portable consumer electronics applications including mobile phones, digital cameras, and computers.