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BSM600D12P4G103

Name: ROHM Semiconductor BSM600D12P4G103
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BSM600D12P4G103
Price: 1010.96 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

755-BSM600D12P4G103

N. produttore:

BSM600D12P4G103

Produttore:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

Moduli MOSFET 1200V, 567A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET

Scheda dati:

BSM600D12P4G103 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	ROHM Semiconductor
Categoria prodotto:	Moduli MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	SiC
Stile di montaggio:	Screw Mount
Package/involucro:	Module
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	2 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Id - corrente di drain continua:	567 A
Vgs - Tensione gate-source:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4.8 V
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	1.78 kW
Confezione:	Bulk
Marchio:	ROHM Semiconductor
Configurazione:	Dual
Tempo di caduta:	90 ns
Lunghezza:	152 mm
Tipo di prodotto:	MOSFET Modules
Tempo di salita:	110 ns
Quantità colli di fabbrica:	4
Sottocategoria:	Discrete and Power Modules
Tipo:	SiC Power Module
Ritardo di spegnimento tipico:	435 ns
Tipico ritardo di accensione:	135 ns
Vr - Tensione inversa:	1.2 kV
Larghezza:	62 mm

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Scheda dati

BSM600D12P4G103 Scheda dati (PDF)

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SiC Power Modules

ROHM Semiconductor SiC power modules are half-bridge SiC modules that integrate a SiC MOSFET and SiC SBD into a single package. These ROHM modules support high-frequency operation through reduced switching loss. The optimized design reduces stray inductance compared to existing solutions. And to prevent excessive heat generation, E Type models that integrate an additional thermistor are offered.