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BSM300D12P4G101

Name: ROHM Semiconductor BSM300D12P4G101
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BSM300D12P4G101
Price: 546.95 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

755-BSM300D12P4G101

N. produttore:

BSM300D12P4G101

Produttore:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

Moduli MOSFET 1200V, 291A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET

Scheda dati:

BSM300D12P4G101 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	546,95 €	546,95 €
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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	ROHM Semiconductor
Categoria prodotto:	Moduli MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	SiC
Stile di montaggio:	Screw Mount
Package/involucro:	Module
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	2 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Id - corrente di drain continua:	291 A
Vgs - Tensione gate-source:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4.8 V
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	925 W
Confezione:	Bulk
Marchio:	ROHM Semiconductor
Configurazione:	Dual
Tempo di caduta:	57 ns
Lunghezza:	152 mm
Tipo di prodotto:	MOSFET Modules
Tempo di salita:	45 ns
Quantità colli di fabbrica:	4
Sottocategoria:	Discrete and Power Modules
Tipo:	SiC Power Module
Ritardo di spegnimento tipico:	270 ns
Tipico ritardo di accensione:	63 ns
Larghezza:	62 mm

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Scheda dati

BSM300D12P4G101 Scheda dati (PDF)

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SiC Power Modules

ROHM Semiconductor SiC power modules are half-bridge SiC modules that integrate a SiC MOSFET and SiC SBD into a single package. These ROHM modules support high-frequency operation through reduced switching loss. The optimized design reduces stray inductance compared to existing solutions. And to prevent excessive heat generation, E Type models that integrate an additional thermistor are offered.