Analog Devices Inc. Interruttori riflettenti SPDT in silicio ADRF5142
Gli interruttori riflettenti SPDT in silicio ADRF5142 di Analog Devices sono interruttori riflettenti unipolari, a doppia via (SPDT) prodotti in silicio. ADIADRF5142 funziona da 8 GHz a 11 GHz con una perdita di inserzione tipica di 1,2 dB e un isolamento tipico di 40 dB. Il dispositivo fornisce una capacità di gestione della potenza in ingresso a radiofrequenza (RF) di 41 dBm potenza media e potenza di picco di 46 dBm per il percorso di perdita di inserzione. Il ADRF5142 assorbe una bassa corrente di 130μA sull’alimentazione positiva di +3,3 V e 500μA sull’alimentazione negativa di -3,3 V. Il dispositivo utilizza controlli compatibili con i transistor a bassa tensione/transistor a logica a transistor (LVTTL) complementare. L'ADRF5142 non necessita di circuiti driver aggiuntivi, il che lo rende un’eccellente alternativa agli interruttori basati su diodi GaN e PIN.L'ADRF5142 è alloggiato in un package LGA (land grid array) 20-lead, 3,0 mm x 3,0 mm, conforme a RoHS con una tensione operativa da -40 °C a +85 °C.
Caratteristiche
- Intervallo di frequenze da 8 GHz a 11 GHz
- Alta linearità di ingresso
- Compressione di potenza 0,1 dB (P0.1 dB) a 46 dBm
- Intercettazione di terzo ordine (IP3) di 70 dBm
- Gestione ad alta potenza a TCASE = 85°C:
- Percorso di perdita di inserzione
- Media di 41 dBm
- A impulsi (larghezza di impulso >100 ns, ciclo utile 15%) di 44 dBm
- Picco (durata di picco di ±100 ns, ciclo utile 5%) di 46 dBm
- Hot switching a RFC (Pin 3) di 41 dBm
- Percorso di perdita di inserzione
- Bassa perdita di inserzione of1.2dB (tipica)
- Elevato isolamento di 40 dB (tipico)
- Tempo di commutazione rapido a 60 ns
- Tempo di ripristino RF 0,1 dB a 65 ns
- Nessun segnale spurio a bassa frequenza
- Interfaccia di controllo positivo: compatibile con CMOS-/LVTTL
- Package 20-lead LGA, 3,0 mm x 3,0 mm
- Pin compatibile con ADRF5141 e ADRF5144
Applicazioni
- Comunicazioni e radar a banda X
- Elettronica militare
- Comunicazioni satellitari
- Sostituzione del nitruro di gallio (GaN) e del diodo a PIN
DIAGRAMMA A BLOCCHI FUNZIONALE
Pubblicato: 2024-07-29
| Aggiornato: 2024-08-05
