NXH030P120M3F1PTG

onsemi
863-NXH030P12M3F1PTG
NXH030P120M3F1PTG

Produttore:

Descrizione:
Moduli MOSFET 30M 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE

Ciclo di vita:
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onsemi
Categoria prodotto: Moduli MOSFET
RoHS::  
SiC
Screw Mount
PIM-18
N-Channel
2 Channel
1.2 kV
42 A
38.5 mOhms
- 10 V, + 22 V
4.4 V
- 40 C
+ 150 C
100 W
NXH030P120M3F1PTG
Tray
Marchio: onsemi
Configurazione: Half-Bridge
Tempo di caduta: 9.4 ns
Altezza: 12.35 mm
Lunghezza: 63.3 mm
Tipo di prodotto: MOSFET Modules
Tempo di salita: 6.6 ns
Quantità colli di fabbrica: 28
Sottocategoria: Discrete and Power Modules
Nome commerciale: EliteSiC
Tipo: Half Bridge
Ritardo di spegnimento tipico: 84.8 ns
Tipico ritardo di accensione: 19.6 ns
Larghezza: 34.1 mm
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Attributi selezionati: 0

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Moduli al carburo di silicio (SiC) NXH0xxP120M3F1

I moduli al carburo di silicio (SiC) NXH0xxP120M3F1 di onsemi  contengono MOSFET SiC 8 mΩ/ 1200 V, 10 mΩ/ 1200 V, 15 mΩ/ 1200 V e 30 mΩ/ 1200 V basati sulla topologia a mezzo ponte e un termistore in un package F1. Questi moduli sono dotati di   materiale di interfaccia termica pre-applicato (TIM) e senza TIM pre-applicato. I moduli NXH0xxP120M3F1 sono progettati con pin montati a pressione e sono privi di piombo, alogeni e conformi a RoHS. Questi moduli di alimentazione sono utilizzati in inverter solari, energia industriale, stazioni di ricarica per veicoli elettrici (EV) e gruppi di continuità (UPS).