NVXK2VR80WDT2

onsemi
863-NVXK2VR80WDT2
NVXK2VR80WDT2

Produttore:

Descrizione:
Moduli MOSFET APM32 SIC POWER MODULE

Modello ECAD:
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onsemi
Categoria prodotto: Moduli MOSFET
RoHS::  
SiC
Through Hole
APM-32
N-Channel
6 Channel
1.2 kV
20 A
116 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
- 55 C
+ 175 C
82 W
NVXK2VR80WDT2
Tube
Marchio: onsemi
Configurazione: 3-Phase Bridge
Tempo di caduta: 9 ns
Altezza: 5.8 mm
Lunghezza: 44.2 mm
Tipo di prodotto: MOSFET Modules
Tempo di salita: 12 ns
Quantità colli di fabbrica: 10
Sottocategoria: Discrete and Power Modules
Tipo: Power Module
Ritardo di spegnimento tipico: 21 ns
Tipico ritardo di accensione: 12 ns
Larghezza: 29 mm
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Attributi selezionati: 0

Codici di conformità
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classificazioni di origine
Paese di origine:
Cina
Paese di origine dell'assemblaggio:
Cina
Paese di diffusione:
Repubblica di Corea
Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

Moduli al carburo di silicio (SiC) NVXK2VR80WxT2

I moduli al carburo di silicio (SiC) NVXK2VR80WxT2 di onsemi  sono moduli di potenza a ponte trifase da 1200 V, 80 m Ω, alloggiati in un contenitore Dual Inline Package (DIP). Questi moduli SiC sono progettati compattamente per avere una bassa resistenza totale del modulo. I moduli di alimentazione NVXK2VR80WxT2 sono qualificati per il settore automobilistico   secondo le norme AEC-Q101 e AQG324. Questi moduli di alimentazione sono privi di piombo e conformi a RoHS, UL94V-0. Il rilevamento di temperatura dei moduli SiC NVXK2VR80WxT2 e la minore resistenza termica li rendono ideali per i caricatori PFC integrati nelle applicazioni xEV.

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Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà Prezzo Unitario
Prezzo esteso
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