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NVXK2VR80WDT2

Name: onsemi NVXK2VR80WDT2
Brand: onsemi
SKU: 863-NVXK2VR80WDT2
Price: 52.3 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-NVXK2VR80WDT2

N. produttore:

NVXK2VR80WDT2

Produttore:

onsemi

Descrizione:

Moduli MOSFET APM32 SIC POWER MODULE

Ciclo di vita:

Nuovo a Mouser

Scheda dati:

NVXK2VR80WDT2 Scheda dati

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
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	38,92 €	3.892,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	Moduli MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	SiC
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	APM-32
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	6 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Id - corrente di drain continua:	20 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	116 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4.3 V
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	82 W
Serie:	NVXK2VR80WDT2
Confezione:	Tube
Marchio:	onsemi
Configurazione:	3-Phase Bridge
Tempo di caduta:	9 ns
Altezza:	5.8 mm
Lunghezza:	44.2 mm
Tipo di prodotto:	MOSFET Modules
Tempo di salita:	12 ns
Quantità colli di fabbrica:	10
Sottocategoria:	Discrete and Power Modules
Tipo:	Power Module
Ritardo di spegnimento tipico:	21 ns
Tipico ritardo di accensione:	12 ns
Larghezza:	29 mm

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Scheda dati

NVXK2VR80WDT2 Scheda dati

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Moduli al carburo di silicio (SiC) NVXK2VR80WxT2

I moduli al carburo di silicio (SiC) NVXK2VR80WxT2 di onsemi sono moduli di potenza a ponte trifase da 1200 V, 80 m Ω, alloggiati in un contenitore Dual Inline Package (DIP). Questi moduli SiC sono progettati compattamente per avere una bassa resistenza totale del modulo. I moduli di alimentazione NVXK2VR80WxT2 sono qualificati per il settore automobilistico secondo le norme AEC-Q101 e AQG324. Questi moduli di alimentazione sono privi di piombo e conformi a RoHS, UL94V-0. Il rilevamento di temperatura dei moduli SiC NVXK2VR80WxT2 e la minore resistenza termica li rendono ideali per i caricatori PFC integrati nelle applicazioni xEV.