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IPU95R3K7P7AKMA1

Name: Infineon IPU95R3K7P7AKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPU95R3K7P7AKMA1
Price: 1.18 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

726-IPU95R3K7P7AKMA1

N. produttore:

IPU95R3K7P7AKMA1

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

MOSFET LOW POWER_NEW

Ciclo di vita:

NRND:

Non consigliato per nuovi progetti.

Scheda dati:

IPU95R3K7P7AKMA1 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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-,-- €

Prezzo esteso:

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Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	1,18 €	1,18 €
	0,745 €	7,45 €
	0,493 €	49,30 €
	0,405 €	202,50 €
	0,349 €	349,00 €
	0,32 €	480,00 €
	0,29 €	1.305,00 €
	0,277 €	2.908,50 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-251-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	950 V
Id - corrente di drain continua:	2 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	3.7 Ohms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.5 V
Qg - Carica del gate:	6 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	22 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	CoolMOS
Confezione:	Tube
Marchio:	Infineon Technologies
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	40 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	23 ns
Serie:	P7
Quantità colli di fabbrica:	1500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	46 ns
Tipico ritardo di accensione:	7ns
Alias n. parte:	IPU95R3K7P7 SP001792320
Peso unità:	387,110 mg

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Application Notes

MOSFET CoolMOS P7 950V (PDF)

Product Catalogs

Technical Resources

MOSFET 950V CoolMOS P7 (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

CoolMOS™ P7 MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ P7 MOSFETs deliver a best-in-class price/performance ratio with excellent ease of use to address challenges in various applications. The 700V and 800V CoolMOS P7 power MOSFETs have been developed for flyback-based low-power SMPS applications, including adapters and chargers, lighting, audio SMPS, AUX, and industrial power. The 600V CoolMOS P7 power MOSFETs target low-power and high-power SMPS applications like solar inverters, servers, telecom, and EV charging stations. Infineon P7 MOSFETs are fully optimized for hard- and soft-switching topologies.

Prova la differenza di potenza

Infineon è il leader nel mercato dei semiconduttori di potenza. Con oltre 20 anni di esperienza e come pioniere dell'innovazione con la rivoluzionaria tecnologia MOSFET a supergiunzione CoolMOS™, Infineon continua a essere all'avanguardia nel settore della gestione energetica. I clienti possono scegliere - in base ai requisiti individuali di progettazione/di sistema - dalla più ampia gamma di MOSFET SJ in silicio del settore. Infineon è uno dei pochi produttori in grado di padroneggiare tutte e tre le principali tecnologie di alimentazione, quindi può integrare questo assortimento con innovative offerte WBG (Wide Band Gap). Questa offerta comprende MOSFET CoolSiC™a base di carburo di silicio, i diodi corrispondenti e HEMT CoolGaN ™ a base di nitruro di gallio. Sono disponibili varie soluzioni, da quelle caratterizzate da prezzi eccezionali a quelle con una robustezza senza pari, fino ai dispositivi migliori della categoria. Ciò consente ai clienti di creare applicazioni più efficienti, ecologiche e sostenibili.

Caricatori e adattatori USB-C

Infineon Technologies offre semiconduttori su misura che tengono conto delle priorità dei clienti – prezzo/prestazioni rispetto all’alta densità di potenza (ultra). La gamma comprende l’intera catena di prodotti di origine USB-C™, che vanno dagli interruttori di alimentazione HV/LV ai controller PWM, controller USB-C per la fornitura dell’alimentazione e dispositivi di protezione ESD.

Sistemi di accumulo di energia residenziali (ESS)

Le soluzioni di stoccaggio residenziale (ESS) di Infineon offrono una vasta gamma di prodotti per creare e gestire infrastrutture energetiche resilienti a un costo ottimale. ESS offre due casi di utilizzo principali. Il primo è la creazione di case a energia solare indipendenti (ESS residenziale). Su una scala più ampia, il secondo caso di utilizzo è l'utilità che completa la potenza generata durante i periodi di domanda elevata (ESS su scala di utenza).

MOSFET a supergiunzione CoolMOS™

I transistor di potenza CoolMOS™ di Infineon offrono tutti i vantaggi di un MOSFET SJ a commutazione rapida. Con la generazione CoolMOS 7, Infineon continua a fissare i parametri di riferimento per prezzo, prestazioni e qualità.