Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Torna ai risultati della ricerca

Hai visto un errore?

C2M0080120D

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

941-C2M0080120D

N. produttore:

C2M0080120D

Produttore:

Wolfspeed

Descrizione:

MOSFET SiC ZFET 1X20A IDS 1200V ON 80MOHM SIC MOSFT

Ciclo di vita:

Obsoleto

Scheda dati:

C2M0080120D Scheda dati

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Avviso di spedizione:

Attualmente Mouser non vende questo prodotto nella tua regione.

Disponibilità

A magazzino:: Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.

Prodotto analogo

Produttore:

Wolfspeed

N. produttore:

C4D20120A

Descrizione:

Diodi Schottky SiC SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 20A

Confronta con la parte attuale

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Wolfspeed
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
Limitazioni per la spedizione:	Attualmente Mouser non vende questo prodotto nella tua regione.
RoHS::
REACH - SVHC:
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Id - corrente di drain continua:	31.6 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	98 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4 V
Qg - Carica del gate:	71 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	208 W
Modalità canale:	Enhancement
Marchio:	Wolfspeed
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	21 ns
Transconduttanza diretta - Min:	3.9 S
Confezione:	Tube
Prodotto:	Power MOSFETs
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Tempo di salita:	34 ns
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Tipo:	Silicon Carbide Power MOSFET
Ritardo di spegnimento tipico:	23.2 ns
Tipico ritardo di accensione:	12 ns
Peso unità:	6 g