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T2G4005528-FS

Name: Qorvo T2G4005528-FS
Brand: Qorvo
SKU: 772-T2G4005528-FS
Price: 281.18 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

772-T2G4005528-FS

N. produttore:

T2G4005528-FS

Produttore:

Qorvo

Descrizione:

GaN FETs DC-3.5GHz 55 Watt 28V GaN Flangeless

Scheda dati:

T2G4005528-FS Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Qorvo
Categoria prodotto:	GaN FETs
RoHS::
Package/involucro:	NI-360
Polarità transistor:	N-Channel
Marchio:	Qorvo
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	US
Guadagno:	16 dB
Frequenza di lavoro massima:	3.5 GHz
Sensibili all’umidità:	Yes
Potenza di uscita:	55 W
Confezione:	Tray
Tipo di prodotto:	GaN FETs
Serie:	T2G4005528
Quantità colli di fabbrica:	100
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	GaN
Tipo di transistor:	HEMT
Tipo:	GaN SiC HEMT
Alias n. parte:	T2G4005528 1099993

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Scheda dati

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PCN

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CNHTS:: 8542319000
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 8542330996
KRHTS:: 8532331000
MXHTS:: 8542330201
ECCN:: EAR99

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.