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IPP023NE7N3 G

Name: Infineon IPP023NE7N3 G
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPP023NE7N3G
Price: 3.5 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

726-IPP023NE7N3G

N. produttore:

IPP023NE7N3 G

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3

Scheda dati:

IPP023NE7N3 G Scheda dati (PDF)

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	3,50 €	3,50 €
	2,30 €	23,00 €
	1,75 €	175,00 €
	1,49 €	745,00 €
	1,31 €	1.310,00 €
	1,23 €	3.075,00 €

Confezione alternativa

Produttore Codice prodotto:

IPP023NE7N3GXKSA1

Imballaggio:

Tube

Disponibilità:

A magazzino

Prezzo:

2,40 €

Min:

Prodotto analogo

Produttore:

Infineon Technologies

N. produttore:

IPP023NE7N3GXKSA1

Descrizione:

MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3

Confronta con la parte attuale

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-220-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	75 V
Id - corrente di drain continua:	120 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	2.1 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.3 V
Qg - Carica del gate:	206 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	300 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	OptiMOS
Confezione:	Tube
Marchio:	Infineon Technologies
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	22 ns
Transconduttanza diretta - Min:	98 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	26 ns
Serie:	OptiMOS 3
Quantità colli di fabbrica:	500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	70 ns
Tipico ritardo di accensione:	19 ns
Alias n. parte:	SP000641722 IPP23NE7N3GXK IPP023NE7N3GXKSA1
Peso unità:	2 g

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Product Catalogs

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Infineon OptiMOS™ 3

Infineon's OptiMOS™ 3 40V, 60V, and 80V families reduce power losses up to 30% in a given standard TO package. The low switching losses and on-state resistance of the devices enable an increase in power densities by up to 30% and a reduction in part count for a given application by more than 25%, compared to competitive solutions. The OptiMOS™ 3 devices offer best-in-class RDS(on), achieving an RDS(on) as low as 1.6mΩ for 40V products in SuperSO8™ packages, 3.5mΩ for 60V products in D-PAK packages, and 2.5mΩ for 80V products in D2-PAK packages. The MOSFETs are ideal for a variety of power conversion and management applications, including SMPSs, DC/DC converters, and DC motor drives.

Switch Mode Power Supplies - High Power Topology

Infineon Technologies Switch Mode Power Supplies - High Power Topology is suitable for power applications above 400W. Following the front end stage of an AC/DC rectifier, a DC/DC power converter is required to step down the bus voltage and provide a galvanically isolated and tightly regulated DC output (12V, 24V, 48V). While a wide range of isolated topologies are available, the phase-shifted full-bridge converter is more suitable for higher power applications for reasons such as its inherent zero-voltage Switching for the primary side switches.

Switch Mode Power Supplies (SMPS)

Infineon Technologies bietet eine breite Palette von kostengünstigen Produkten für Verbraucherschaltnetzteile (SMPS). Das beinhaltet Hochspannungs-MOSFETs, Steuerungs-ICs und Siliziumkarbid-Dioden für PFC- und PWM-Stufen sowie Niederspannungs-MOSFETs für die Synchrongleichrichtung. Mit diesen Produkten hält Infineon nicht nur mit dem kontinuierlich ansteigenden Energieverbrauch Schritt, sondern erfüllt zudem die wichtige Forderung nach Energieeinsparungen. Die neue CoolMOS™ 600V C6-Familie ist besonders vielseitig und kombiniert Effizienz und einen günstigen Preis, genau wie die SiC-Dioden der 3. Generation. Zur Synchrongleichrichtung bietet die OptiMOS™-Serie einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand und niedrige Kapazitäten. Die neuen Steuer-ICs von Infineon unterstützen Topologien wie PFC, quasi-resonante Sperrwandler und LLC.
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