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LSIC1MO120E0120

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N. Mouser:

576-LSIC1MO120E0120

N. produttore:

LSIC1MO120E0120

Produttore:

IXYS

Descrizione:

MOSFET SiC 1200 V 120 mOhm SiC Mosfet

Ciclo di vita:

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Scheda dati:

LSIC1MO120E0120 Scheda dati (PDF)

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	IXYS
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
RoHS::
REACH - SVHC:
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Id - corrente di drain continua:	27 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	150 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1.8 V
Qg - Carica del gate:	80 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	139 W
Modalità canale:	Enhancement
Marchio:	IXYS
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	10 ns
Confezione:	Tube
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Tempo di salita:	7 ns
Serie:	LSIC1MO
Quantità colli di fabbrica:	450
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Ritardo di spegnimento tipico:	16 ns
Tipico ritardo di accensione:	12 ns
Peso unità:	6 g