GS61008P-E05-MR

499-GS61008P-E05-MR
GS61008P-E05-MR

Produttore:

Descrizione:
GaN FETs No longer available. Order GS61008P-MR

Ciclo di vita:
Obsoleto
Scheda dati:
Modello ECAD:
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Disponibilità

A magazzino:

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Infineon
Categoria prodotto: GaN FETs
Limitazioni per la spedizione:
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RoHS::  
SMD/SMT
GaNPX-4
N-Channel
1 Channel
100 V
90 A
9.5 mOhms
- 10 V, + 7 V
1.7 V
8 nC
- 55 C
+ 150 C
Enhancement
Marchio: Infineon Technologies
Configurazione: Single
Sensibili all’umidità: Yes
Confezione: Reel
Confezione: Cut Tape
Confezione: MouseReel
Prodotto: MOSFETs
Tipo di prodotto: GaN FETs
Serie: GS6100x
Quantità colli di fabbrica: 250
Sottocategoria: Transistors
Tecnologia: GaN
Tipo di transistor: E-HEMT Power Transistor
Peso unità: 4,675 g
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Attributi selezionati: 0

Scheda dati

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

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