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NVMFS5C404NET1G

Name: onsemi NVMFS5C404NET1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFS5C404NET1G
Price: 3.34 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-NVMFS5C404NET1G

N. produttore:

NVMFS5C404NET1G

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET T6 40V HEFET

Ciclo di vita:

NRND:

Non consigliato per nuovi progetti.

Scheda dati:

NVMFS5C404NET1G Scheda dati

Modello ECAD:

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	3,34 €	3,34 €
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	1,52 €	152,00 €
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	1,16 €	1.160,00 €
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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DFN-5
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	40 V
Id - corrente di drain continua:	378 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	700 uOhms
Vgs - Tensione gate-source:	20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4 V
Qg - Carica del gate:	128 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	200 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	109 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	113 ns
Serie:	NVMFS5C404N
Quantità colli di fabbrica:	1500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	77 ns
Tipico ritardo di accensione:	16 ns

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Scheda dati

NVMFS5C404NET1G Scheda dati

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET MV Trench6 a canale N

I MOSFET MV Trench6 a canale N di onsemi sono MOSFET da 30V, 40V e 60V prodotti utilizzando un processo Power Trench avanzato e ottimizzato che incorpora la tecnologia di Gate schermato. Il processo è stato ottimizzato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo, pur mantenendo prestazioni di commutazione superiori con il miglior diodo soft body della categoria.