Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Hai visto un errore?

NVMFS4C03NWFET1G

Name: onsemi NVMFS4C03NWFET1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFS4C03NWFET1G
Price: 1.26 EUR
Availability: InStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

863-NVMFS4C03NWFET1G

N. produttore:

NVMFS4C03NWFET1G

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

NVMFS4C03NWFET1G Scheda dati

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su onsemi NVMFS4C03NWFET1G

A magazzino: 1.243

A magazzino:: 1.243 Spedizione immediata

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 53 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	1,26 €	1,26 €
	0,792 €	7,92 €
	0,526 €	52,60 €
	0,412 €	206,00 €
	0,378 €	378,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 1500)
	0,347 €	520,50 €
	0,313 €	1.408,50 €
	0,304 €	2.736,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DFNW-5
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	30 V
Id - corrente di drain continua:	159 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	1.7 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.2 V
Qg - Carica del gate:	45.2 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	77 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	17 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	32 ns
Quantità colli di fabbrica:	1500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	27 ns
Tipico ritardo di accensione:	14 ns

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

NVMFS4C03NWFET1G Scheda dati

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza a canale N singolo NVMFS4C03NWFET1G

Il MOSFET di potenza NVMFS4C03NWFET1G a canale N singolo di Onsemi è un dispositivo ad alta efficienza progettato per applicazioni di gestione dell'energia impegnative. Alloggiato in un compatto package PowerFLAT di 5 mm x 6 mm, il NVMFS4C03NWFET1G offre eccellenti prestazioni termiche e un basso RDS_(on), fino a 0,9 mΩ a 10 V, rendendo il MOSFET ideale per ridurre al minimo le perdite di conduzione nei circuiti a corrente elevata. Questo MOSFET onsemi supporti elevate velocità di commutazione ed è ottimizzato per l'uso in convertitori CC-CC, raddrizzamento sincrono commutazione di carico e applicazioni controllo del motore. Grazie al design robusto e all'elevata capacità di resistenza alle valanghe, il modello NVMFS4C03NWFET1G è adatto all'uso in sistemi di alimentazione per telecomunicazioni, server e industriali, dove affidabilità ed efficienza sono fondamentali. Il NVMFS4C03NWFET1G offre un bilanciamento tra prestazioni, dimensioni e robustezza, rendendolo una scelta versatile per l'elettronica di potenza moderna.