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NSVT5551MR6T1G

Name: onsemi NSVT5551MR6T1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NSVT5551MR6T1G
Price: 0.8 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-NSVT5551MR6T1G

N. produttore:

NSVT5551MR6T1G

Produttore:

onsemi

Descrizione:

Transistor bipolari - BJT NPN GENERAL-PURPOSE AMPLIFIER

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	0,808 €	0,81 €
	0,499 €	4,99 €
	0,341 €	34,10 €
	0,268 €	134,00 €
	0,23 €	230,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,188 €	564,00 €
	0,173 €	1.038,00 €
	0,16 €	1.440,00 €
	0,156 €	3.744,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	Transistor bipolari - BJT
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	TSOT-23-6
Polarità transistor:	NPN
Configurazione:	Dual
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:	160 V
Tensione base-collettore VCBO:	180 V
Tensione emettitore-base VEBO:	6 V
Pd - Dissipazione di potenza:	700 mW
Prodotto guadagno-larghezza di banda fT:	300 MHz
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Serie:	NSVT5551M
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	onsemi
Corrente continua collettore:	600 mA
Collettore DC/Guadagno base hfe Min:	80 at 1 mA, 5 V
Tipo di prodotto:	BJTs - Bipolar Transistors
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors

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Attributi selezionati: 0

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541210000
USHTS:: 8541210075
ECCN:: EAR99

transistore bipolare NSVT5551M

Il transistore bipolare NSVT5551M di Onsemi è un amplificatore NPN per uso generale con basso VCE_(sat)e qualificato AEC-Q101. Questo transistor bipolare NPN ha matrici abbinate e funziona nell'intervallo temperatura di conservazione da -55 °C a 150 °C. NSVT5551M BJT senza piombo, senza alogeni, senza BFR e conformi alla direttiva RoHS. Questo transistor è generalmente utilizzato per molte diverse applicazioni.