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FFSD2065B

Name: onsemi FFSD2065B
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSD2065B
Price: 3.53 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-FFSD2065B

N. produttore:

FFSD2065B

Produttore:

onsemi

Descrizione:

Diodi Schottky SiC SIC DIODE DPAK 650V

Scheda dati:

FFSD2065B Scheda dati

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	3,53 €	3,53 €
	2,47 €	24,70 €
	2,19 €	219,00 €
	2,14 €	1.070,00 €
	2,12 €	2.120,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	2,02 €	5.050,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	Diodi Schottky SiC
RoHS::
REACH - SVHC:
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DPAK-3 (TO-252-3)
Configurazione:	Single
If - Corrente diretta:	20 A
Vrrm - Tensione inversa ripetitiva:	650 V
Vf - Tensione diretta:	1.38 V
Ifsm - Sovracorrente diretta:	80 A
Ir - Corrente inversa:	40 uA
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Serie:	FFSD2065B
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	onsemi
Pd - Dissipazione di potenza:	160 W
Tipo di prodotto:	SiC Schottky Diodes
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Diodes & Rectifiers
Nome commerciale:	EliteSiC
Vr - Tensione inversa:	650 V

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Scheda dati

FFSD2065B Scheda dati

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Diodi EliteSiC D2

I diodi EliteSiC D2 di onsemi sono una gamma di diodi ad alte prestazioni progettati per applicazioni che richiedono una tensione nominale di 650 V. Il D2 di onsemi è disponibile in vari package, tra cui DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2 e TO-247-3. Questi diodi offrono bassa carica capacitiva (QC) e sono ottimizzati per commutazione ad alta velocità con bassa tensione diretta. Queste caratteristiche rendono i diodi ideali per la correzione del fattore di potenza (PFC) e le applicazioni di rettifica dell'uscita.

650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.