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FDMC8015L

Name: onsemi FDMC8015L
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMC8015L
Price: 1.12 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

512-FDMC8015L

N. produttore:

FDMC8015L

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

Ciclo di vita:

NRND:

Non consigliato per nuovi progetti.

Scheda dati:

FDMC8015L Scheda dati

Modello ECAD:

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Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	1,12 €	1,12 €
	0,697 €	6,97 €
	0,462 €	46,20 €
	0,363 €	181,50 €
	0,328 €	328,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,328 €	984,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	Power-33-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	40 V
Id - corrente di drain continua:	7 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	26 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1 V
Qg - Carica del gate:	19 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	24 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	US
Paese di origine:	PH
Transconduttanza diretta - Min:	30 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Serie:	FDMC8015L
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Peso unità:	180 mg

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EOL

Product Discontinuation Notification 2025-7-1 (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
ECCN:: EAR99

FDMC8x N-Ch Gate PowerTrench® MOSFETs

onsemi FDMC8x N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized for the on-state resistance and yet maintains superior switching performance. FDMC8x MOSFETs are designed for use in DC-DC conversion applications.

Power Trench MOSFETs EXPANSION

ON Semiconductor has expanded its line of Power Trench MOSFETs to offer different drain-to-source voltages, drain current and R_DS(ON). Additional features in this expansion of the ON Semiconductor Power Trench® MOSFETs include advanced package and silicon combination for low R_DS(ON) and high efficiency, thermally efficient packages, and next generation enhanced body diode technology engineered for soft recovery. Applications for these Power Trench® MOSFETs include synchronous rectifiers for DC/DC converters, notebook or networking low side switch, telecom secondary side rectification, load switches, and many more.
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ON Semiconductor offers both N-Channel and P-Channel versions of MOSFETs using their advanced Power Trench process that has been optimized for low R_DS(ON) switching performance and ruggedness.
View the entire Power Trench® MOSFETs offering

MOSFET PowerTrench®

Fairchild offre la più ampia gamma di MOSFET PowerTrench® del settore. È possibile scegliere la tecnologia di MOSFET più adatta alla propria applicazione. Fairchild offre MOSFET a canale N e a canale P fabbricati utilizzando il processo Power Trench® avanzato e ottimizzato per garantire una maggiore robustezza e prestazioni di commutazione a basso R_DS(ON). Questi MOSFET PowerTrench® sono disponibili in diverse versioni adatte alle esigenze delle più svariate applicazioni, quali commutatori di carico, commutazione primaria, computer portatili, convertitori CC-CC, rettificatori sincroni e altro ancora.
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