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IRFZ48SPBF

Name: Vishay IRFZ48SPBF
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-IRFZ48SPBF
Price: 3.47 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

78-IRFZ48SPBF

N. produttore:

IRFZ48SPBF

Produttore:

Vishay Semiconductors

Descrizione:

MOSFET N-Channel 60V Power MOSFET

Scheda dati:

IRFZ48SPBF Scheda dati

Modello ECAD:

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Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	3,47 €	3,47 €
	1,78 €	17,80 €
	1,72 €	172,00 €
	1,53 €	765,00 €
	1,23 €	1.230,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Vishay
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	60 V
Id - corrente di drain continua:	50 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	18 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4 V
Qg - Carica del gate:	110 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	190 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Tube
Marchio:	Vishay Semiconductors
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	250 ns
Transconduttanza diretta - Min:	27 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	250 ns
Serie:	IRFZ
Quantità colli di fabbrica:	1000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	210 ns
Tipico ritardo di accensione:	8.1 ns
Peso unità:	4 g

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Industrial Power Solutions

Vishay Industrial Power Solutions feature a broad selection of semiconductor and passive components for industrial power supply applications. These products offer access to advanced technology and reliable components essential for creating robust, durable, and efficient industrial products. The Vishay product portfolio for industrial power supplies includes power MOSFETs, power ICs, rectifiers, diodes, capacitors, resistors, and inductors.

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I MOSFET Gen IV TrenchFET^® di Vishay/Siliconix offrono una bassa resistenza in conduzione del settore e una bassa carica totale del gate in package SO-8 e 1212-8S PowerPAK^®. Questi MOSFET Gen IV TrenchFET presentano una R_DS(on) estremamente bassa, che si traduce in perdite di conduzione inferiori per una riduzione del consumo energetico. I MOSFET TrenchFET sono disponibili anche con package 1212-8 PowerPAK^® che consentono di risparmiare spazio con un'efficienza simile e un terzo delle dimensioni. Le applicazioni tipiche includono convertitori CC/CC ad alta potenza, raddrizzamento sincrono, microinverter solari e interruttori per unità di azionamento motore.