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IRFR9014PBF

Name: Vishay IRFR9014PBF
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 844-IRFR9014PBF
Price: 1.29 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

844-IRFR9014PBF

N. produttore:

IRFR9014PBF

Produttore:

Vishay Semiconductors

Descrizione:

MOSFET TO252 P-CH 60V 5.1A

Scheda dati:

IRFR9014PBF Scheda dati

Modello ECAD:

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Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	1,29 €	1,29 €
	0,44 €	4,40 €
	0,406 €	40,60 €
	0,372 €	186,00 €
	0,348 €	348,00 €
	0,34 €	1.020,00 €
	0,308 €	1.848,00 €

Confezione alternativa

Produttore Codice prodotto:

IRFR9014TRLPBF

Imballaggio:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilità:

A magazzino

Prezzo:

1,78 €

Min:

Produttore Codice prodotto:

IRFR9014TRPBF

Imballaggio:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilità:

A magazzino

Prezzo:

0,96 €

Min:

Produttore Codice prodotto:

IRFR9014PBF-BE3

Imballaggio:

Bulk

Disponibilità:

A magazzino

Prezzo:

1,73 €

Min:

Prodotto analogo

Produttore:

Vishay Semiconductors

N. produttore:

IRFR9014PBF-BE3

Descrizione:

MOSFET TO252 P-CH 60V 5.1A

Confronta con la parte attuale

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Vishay
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarità transistor:	P-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	60 V
Id - corrente di drain continua:	5.1 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	500 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2 V
Qg - Carica del gate:	12 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	25 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Tube
Marchio:	Vishay Semiconductors
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	31 ns
Transconduttanza diretta - Min:	1.4 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	63 ns
Serie:	IRFR/U
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 P-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	9.6 ns
Tipico ritardo di accensione:	11 ns
Peso unità:	330 mg

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Attributi selezionati: 0

                        
Qualification of ASE as an Additional Assembly Site of DPAK Commercial 
Power Mosfets 

DESCRIPTION OF CHANGE: Vishay Siliconix would like to announce the 
approval of Advanced Semiconductor Engineering (ASE) plant located in 
Weihai, China as an additional assembly facility for DPAK, MOSFET 
devices. 

Please contact a Mouser Technical Sales Representative for further
information.

5-0614-3