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XPQR3004PB,LXHQ

Name: Toshiba XPQR3004PB,LXHQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-XPQR3004PBLXHQ
Price: 5.87 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

757-XPQR3004PBLXHQ

N. produttore:

XPQR3004PB,LXHQ

Produttore:

Toshiba

Descrizione:

MOSFET L-TOGL N-CH 40V 400A

Scheda dati:

XPQR3004PB,LXHQ Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	5,87 €	5,87 €
	4,21 €	42,10 €
	3,22 €	322,00 €
	3,13 €	3.130,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 1500)
	3,08 €	4.620,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Toshiba
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	L-TOGL-9
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	40 V
Id - corrente di drain continua:	400 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	470 uOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3 V
Qg - Carica del gate:	295 nC
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	750 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Toshiba
Tempo di caduta:	130 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	65 ns
Quantità colli di fabbrica:	1500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	395 ns
Tipico ritardo di accensione:	120 ns

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET a canale N L-TOGL e S-TOGL AEC-Q 40 V/80 V/100 V

I MOSFET a canale N L-TOGL e S-TOGL AEC-Q101 da 40 V/80 V/100 V di Toshiba offrono una resistenza in conduzione ultra-bassa, un'elevata corrente di drain nominale e un'elevata dissipazione del calore. Ciò si ottiene combinando package ad alta dissipazione del calore [L-TOGL (large transistor outline gull-wing leads) e S-TOGL (small transistor outline gull-wing leads)] con i processi chip U-MOS IX-H e U-MOS X-H. I MOSFET L-TOGL e S-TOGL di Toshiba offrono inoltre un'alta capacità di corrente e un'elevata dissipazione del calore per contribuire a migliorare la densità di potenza in un'ampia gamma di applicazioni per il settore automobilistico. Il package L-TOGL è equivalente per dimensioni al package TO-220SM(W) esistente. Tuttavia, l'XPQR3004PB migliora notevolmente la corrente nominale e riduce significativamente la resistenza in conduzione a 0,23 mΩ tipica. L'ingombro del package ottimizzato L-TOGL contribuisce anche a migliorare le caratteristiche termiche rispetto al package TO-220SM(W) delle stesse dimensioni.

MOSFET per il settore automobilistico da 40 V 400 A XPQR3004PB

Il MOSFET da 40 V XPQR3004PB di Toshiba presenta una RDS(ON) di 0,23 mΩ (tipica), capacità di 400 A e una tensione di soglia (V_th) da 2 V a 3 V. Le caratteristiche aggiuntive includono una temperatura di funzionamento massima di +175 °C e una corrente di dispersione massima di 10 µA (V_DS = 40 V). Il MOSFET XPQR3004PB di Toshiba è offerto in un package L-TOGL, che offre un'impedenza termica di 0,2 °C/W e una dissipazione di potenza di 750 W. Questo dispositivo è certificato AEC-Q101 ed è ideale per applicazioni per il settore automobilistico, regolatori di tensione di commutazione, driver di motori e convertitori CC-CC.