TPN2R703NL,L1Q
Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto
757-TPN2R703NLL1Q
TPN2R703NL,L1Q
Produttore:
Descrizione:
MOSFET X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V
MOSFET X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V
Scheda dati:
A magazzino: 19.881
-
A magazzino:
-
19.881 Spedizione immediataSi è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
-
Tempo di consegna da parte della fabbrica:
-
16 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.
Prezzi (EUR)
| Qtà | Prezzo Unitario |
Prezzo esteso
|
|---|---|---|
| Nastro tagliato / MouseReel™ † | ||
| 1,51 € | 1,51 € | |
| 0,963 € | 9,63 € | |
| 0,64 € | 64,00 € | |
| 0,505 € | 252,50 € | |
| 0,459 € | 459,00 € | |
| 0,434 € | 1.085,00 € | |
| Nastrati completa (ordinare in multipli di 5000) | ||
| 0,39 € | 1.950,00 € | |
† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso.
↩
Scheda dati
Application Notes
- Application Note
- Application Note
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
- Surface Mount Small Signal Transistor (BJT) Precautions for use
Models
Product Catalogs
Test/Quality Data
- TARIC:
- 8541290000
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 8541290100
- KRHTS:
- 8541299000
- MXHTS:
- 85412999
- ECCN:
- EAR99
