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TK8P65W,RQ

Name: Toshiba TK8P65W,RQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK8P65WRQ
Price: 1.61 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

757-TK8P65WRQ

N. produttore:

TK8P65W,RQ

Produttore:

Toshiba

Descrizione:

MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=80W F=1MHZ

Scheda dati:

TK8P65W,RQ Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 2000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	1,61 €	1,61 €
	1,28 €	12,80 €
	1,01 €	101,00 €
	0,937 €	937,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2000)
	0,858 €	1.716,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Toshiba
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Id - corrente di drain continua:	7.8 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	670 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.5 V
Qg - Carica del gate:	16 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	80 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	DTMOSIV
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Toshiba
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	4 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	20 ns
Serie:	TK8P65W
Quantità colli di fabbrica:	2000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	60 ns
Tipico ritardo di accensione:	40 ns
Peso unità:	360 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.