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TK70J20D,S1Q

Name: Toshiba TK70J20D,S1Q
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK70J20DS1Q
Price: 7.31 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

757-TK70J20DS1Q

N. produttore:

TK70J20D,S1Q

Produttore:

Toshiba

Descrizione:

MOSFET N-Ch 200V 70A 410W MOSVII 160nC .0029

Scheda dati:

TK70J20D,S1Q Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	7,31 €	7,31 €
	5,32 €	53,20 €
	4,43 €	443,00 €
	3,94 €	1.970,00 €
	3,51 €	3.510,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Toshiba
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-3PN-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	200 V
Id - corrente di drain continua:	70 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	27 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3.5 V
Qg - Carica del gate:	160 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	410 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	MOSVII
Marchio:	Toshiba
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	745 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	230 ns
Quantità colli di fabbrica:	25
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	105 ns
Tipico ritardo di accensione:	155 ns
Peso unità:	4,600 g

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Scheda dati

TK70J20D,S1Q Scheda dati (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

π-MOS VII MOSFETs

Toshiba π-MOS VII MOSFETs are 10V Gate Drive, single N-channel devices, combining π-MOS technology with a planar process to provide a wide selection of voltage and R_DS(ON) ratings. These high-voltage MOSFETs offer a drain-source voltage range of 250V up to 650V and a drain current range from 2A to 20A. Vishay π-MOS VII MOSFETs are offered in TO-220-3 and TO-252 through-hole packages and compact DPAK-3 and PW-Mold-3 surface mount packages.