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TK5A80E,S4X

Name: Toshiba TK5A80E,S4X
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK5A80ES4X
Price: 1.94 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

757-TK5A80ES4X

N. produttore:

TK5A80E,S4X

Produttore:

Toshiba

Descrizione:

MOSFET TO220 800V 5A N-CH MOSFET

Scheda dati:

TK5A80E,S4X Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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	0,946 €	9,46 €
	0,869 €	86,90 €
	0,634 €	317,00 €
	0,576 €	576,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Toshiba
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-220SIS-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	800 V
Id - corrente di drain continua:	5 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	2.4 Ohms
Vgs - Tensione gate-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.5 V
Qg - Carica del gate:	20 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	40 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	MOSVII
Confezione:	Tube
Marchio:	Toshiba
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	15 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	25 ns
Serie:	TK5A80E
Quantità colli di fabbrica:	50
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	80 ns
Tipico ritardo di accensione:	55 ns
Peso unità:	2 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

π-MOS VII MOSFETs

Toshiba π-MOS VII MOSFETs are 10V Gate Drive, single N-channel devices, combining π-MOS technology with a planar process to provide a wide selection of voltage and R_DS(ON) ratings. These high-voltage MOSFETs offer a drain-source voltage range of 250V up to 650V and a drain current range from 2A to 20A. Vishay π-MOS VII MOSFETs are offered in TO-220-3 and TO-252 through-hole packages and compact DPAK-3 and PW-Mold-3 surface mount packages.