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TK4P60DB(T6RSS-Q)

Name: Toshiba TK4P60DB(T6RSS-Q)
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK4P60DBT6RSS-Q
Price: 1.31 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

757-TK4P60DBT6RSS-Q

N. produttore:

TK4P60DB(T6RSS-Q)

Produttore:

Toshiba

Descrizione:

MOSFET N-Ch MOS 3.7A 600V 80W 540pF 2.0 Ohm

Scheda dati:

TK4P60DB(T6RSS-Q) Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 2000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	1,31 €	1,31 €
	0,821 €	8,21 €
	0,544 €	54,40 €
	0,43 €	215,00 €
	0,401 €	401,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2000)
	0,34 €	680,00 €
	0,32 €	1.280,00 €
	0,318 €	3.180,00 €
	0,311 €	7.464,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Toshiba
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	600 V
Id - corrente di drain continua:	3.7 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	2 Ohms
Vgs - Tensione gate-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4.4 V
Qg - Carica del gate:	11 nC
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	80 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	MOSVII
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Toshiba
Configurazione:	Single
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Serie:	TK4P60D
Quantità colli di fabbrica:	2000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Peso unità:	330 mg

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Scheda dati

TK4P60DB(T6RSS-Q) Scheda dati (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

π-MOS VII MOSFETs

Toshiba π-MOS VII MOSFETs are 10V Gate Drive, single N-channel devices, combining π-MOS technology with a planar process to provide a wide selection of voltage and R_DS(ON) ratings. These high-voltage MOSFETs offer a drain-source voltage range of 250V up to 650V and a drain current range from 2A to 20A. Vishay π-MOS VII MOSFETs are offered in TO-220-3 and TO-252 through-hole packages and compact DPAK-3 and PW-Mold-3 surface mount packages.