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TK4A50D(STA4,Q,M)

Name: Toshiba TK4A50D(STA4,Q,M)
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK4A50DSTA4QM
Price: 1.09 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

757-TK4A50DSTA4QM

N. produttore:

TK4A50D(STA4,Q,M)

Produttore:

Toshiba

Descrizione:

MOSFET N-Ch MOS 4A 500V 30W 380pF 2.0 Ohm

Scheda dati:

TK4A50D(STA4,Q,M) Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	1,09 €	1,09 €
	0,507 €	5,07 €
	0,469 €	46,90 €
	0,333 €	166,50 €
	0,297 €	297,00 €
	0,295 €	737,50 €
	0,267 €	1.335,00 €
	0,264 €	2.640,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Toshiba
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-220FP-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	500 V
Id - corrente di drain continua:	4 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	2 Ohms
Pd - Dissipazione di potenza:	30 W
Nome commerciale:	MOSVII
Confezione:	Tube
Marchio:	Toshiba
Configurazione:	Single
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Serie:	TK4A50D
Quantità colli di fabbrica:	50
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Peso unità:	2 g

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Scheda dati

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Application Notes

Product Catalogs

TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

π-MOS VII MOSFETs

Toshiba π-MOS VII MOSFETs are 10V Gate Drive, single N-channel devices, combining π-MOS technology with a planar process to provide a wide selection of voltage and R_DS(ON) ratings. These high-voltage MOSFETs offer a drain-source voltage range of 250V up to 650V and a drain current range from 2A to 20A. Vishay π-MOS VII MOSFETs are offered in TO-220-3 and TO-252 through-hole packages and compact DPAK-3 and PW-Mold-3 surface mount packages.