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TK3A60DA(STA4,Q,M)

Name: Toshiba TK3A60DA(STA4,Q,M)
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK3A60DASTA4QM
Price: 1.4 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

757-TK3A60DASTA4QM

N. produttore:

TK3A60DA(STA4,Q,M)

Produttore:

Toshiba

Descrizione:

MOSFET N-ch 600V 2.5A 30w 2.8 Ohm

Scheda dati:

TK3A60DA(STA4,Q,M) Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	1,40 €	1,40 €
	0,696 €	6,96 €
	0,56 €	56,00 €
	0,474 €	237,00 €
	0,407 €	407,00 €
	0,406 €	1.015,00 €
	0,39 €	1.950,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Toshiba
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-220-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	600 V
Id - corrente di drain continua:	2.5 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	2.8 Ohms
Vgs - Tensione gate-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.4 V
Qg - Carica del gate:	9 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	30 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	MOSVII
Confezione:	Tube
Marchio:	Toshiba
Configurazione:	Single
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Serie:	TK3A60DA
Quantità colli di fabbrica:	50
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Peso unità:	2 g

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Product Catalogs

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

π-MOS VII MOSFETs

Toshiba π-MOS VII MOSFETs are 10V Gate Drive, single N-channel devices, combining π-MOS technology with a planar process to provide a wide selection of voltage and R_DS(ON) ratings. These high-voltage MOSFETs offer a drain-source voltage range of 250V up to 650V and a drain current range from 2A to 20A. Vishay π-MOS VII MOSFETs are offered in TO-220-3 and TO-252 through-hole packages and compact DPAK-3 and PW-Mold-3 surface mount packages.